Меню
Украина, г. Киев, ул. Гетьмана Павла Полуботка 22/14, 1 этаж, фасад дома.
Пн-пт - 09:00 - 16:00
Сб-Вс - выходной
Время работы магазина:
  • Пн-пт - 09:00 - 16:00
  • Сб-Вс - выходной

Ampleon

Транзистор полевой ВЧ BLP0427M9S20G Ampleon
0
Код товара: 42340
1 440.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1483-1 0,01-2,7 GHz, 20 W, 19 dB, Vds=28 V, Idsx=6 A, PAE=63%, LDMOS..
Транзистор полевой ВЧ BLP0427M9S20Z Ampleon
0
Код товара: 47478
2 160.00 грн.
Транзи. Пол. ВЧ большой мощности SOT1482-1 0,01-2,7 GHz, 20 W, 19 dB, Vds=28 V, Idsx=6 A, PAE=63%, LDMOS..
ВЧ Транзистор полевой BLL9G1214LS-600U Ampleon
0
Код товара: 46332
18 000.00 грн.
Транзи. Пол. ВЧ большой мощности SOT502B LDMOS L-band radar power transistor 1,2-1,4 GHz 600 W 19 dB PAE60% Vs=32 V Idsx=87 A..
ВЧ Транзистор полевой BLP15M9S30GZ Ampleon
0
Код товара: 46333
1 350.00 грн.
Транзи. Пол. ВЧ большой мощности SOT1483-1 0,01-1,5 GHz, 30 W, 19,3 dB, Vds=32 V, Idsx=6,2 A, PAE=72%, LDMOS..
Микросхема RF BLM2425M7S60PY Amphenol
0
Код товара: 41956
3 150.00 грн.
LDMOS 2-stage power MMIC, 60 W, 2,4-2,5 GHz, Gain=27,5 dB, Vs=32 V..
Микросхема РЧ/СВЧ BPC2425M9X2S250-1Z Ampleon
0
Код товара: 29568
0.00 грн.
250 W LDMOS power module for Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications at frequencies from 2400 MHz to 2500 MHz BPC2425M9X2S250-1Z.pdf..
Плата GANBIAS2-A Ampleon
0
Код товара: 43143
9 000.00 грн.
RF Evaluation Board, GaN Dual Channel Bias Module..
Транзистор BLP9G0722-20Z Ampleon
0
Код товара: 45535
1 192.50 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1482-1 0,4-2,7 GHz, 20 W, 19 dB, Vs=28 V, Id=0,18 A, LDMOS..
Транзистор полевой ВЧ BLP15H9S30Z Ampleon
0
Код товара: 42339
1 350.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1482-1 0,001-2 GHz, 30 W, 22 dB, Vds=50 V, Idsx=3,9 A, PAE=65%, LDMOS..
Транзистор полевой высокочастотный BLA9H0912L-1200PU Ampleon
0
Код товара: 44905
45 000.00 грн.
RF Power Transistor, 0.96 to 1.215 GHz, 1200 W, 19 dB, 50 V, SOT539A, LDMOS..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLA9H0912L-250U Ampleon
0
Код товара: 33049
6 842.00 грн.
Avionics LDMOS transistor 960-1215 MHz Pout=250 W Vds=50 V Gp=22 dB PAE=60% BLA9H0912L-250U.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLF188XRU Ampleon
0
Код товара: 39552
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ Power LDMOS SOT-359A Uds=135V Idsx=77A P=1400W Gp=24,4dB..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLF571,112 Ampleon
0
Код товара: 31547
0.00 грн.
Транз. пол. ВЧ БМ LDMOS 20 W 10-230 MHz Gp=27,5 dB BLF571,112.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLF573,112 Ampleon
0
Код товара: 27783
0.00 грн.
Транз. пол. ВЧ БМ LDMOS 300 W 225 MHz Gp=27,2 dB BLF573,112.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLF881,112 Ampleon
0
Код товара: 28088
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ большой мощности SOT-467C 5-860 MHz, 140 W, 21 dB, Vds=50 V, Id=0,5 A BLF881,112.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLP10H603Z Ampleon
0
Код товара: 31479
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ большой мощности SOT1352-1 0,01-1,4 GHz, 2,5 W, 22,8 dB, Vds=50 V, Id=0,015 A BLP10H603Z.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLP10H605AZ Ampleon
0
Код товара: 33050
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ большой мощности SOT1352-1 0,01-1,4 GHz, 5 W, 22,4 dB, Vds=50 V, Id=0,03 A BLP10H605AZ.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLP15M7160PY Ampleon
0
Код товара: 37575
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ большой мощности SOT1223-2 0-1,5 GHz, 160 W, 19,4 dB, Vds=28 V, Id=0,1 A, PAE=59,7%, LDMOS BLP15M7160PY.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ BLP35M805Z Ampleon
0
Код товара: 31478
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ большой мощности SOT1371-1 0,1-3,5 GHz, 5 W, 18 dB, Vds=32 V, Id=0,009 A BLP35M805Z.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ CLF1G0035S-100,112 Ampleon
0
Код товара: 31077
0.00 грн.
Транз. пол. ВЧ БМ DC to 3,5 GHz 100 W Broadband RF power GaN HEMT CLF1G0035S-100,112.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ CLF1G0035S-200P Ampleon
0
Код товара: 31076
0.00 грн.
Транз. пол. ВЧ БМ DC to 3,5 GHz 200 W Broadband RF power GaN HEMT CLF1G0035S-200P.pdf..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ CLF1G0060-30 Ampleon
0
Код товара: 29604
0.00 грн.
Транз. пол. ВЧ БМ DC to 6,0 GHz 30 W Broadband RF power GaN HEMT CLF1G0060-30.pdf..
Транзистор польвий ВЧ BLL9G1214L-600U Ampleon
0
Код товара: 46862
0.00 грн.
Транзи. Пол. ВЧ большой мощности SOT502A LDMOS L-band radar power transistor 1,2-1,4 GHz 600 W 19 dB PAE60% Vs=32 V Idsx=87 A..