Код товара: 24972
81.00 грн.
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=100V; Id=36A; Pdmax=140W; Rds=0,044 Ohm Logic Level Gate ..
Код товара: 45710
72.00 грн.
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4..
Код товара: 8605
180.00 грн.
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm IRLL2705PBF.pdf..
Код товара: 5591
13.50 грн.
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm IRLML2402TRPBF.pdf..
Код товара: 6879
11.20 грн.
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=20V; Id=4,2A; Pdmax=1,25W; Rds=0,045 Ohm IRLML2502TRPBF.pdf..
Код товара: 10400
9.00 грн.
Транз. Пол. ММ N-HEXFET Micro3TM Udss=30V; Id=1,2A; Pdmax=0,54W; Rds=0,25 Ohm IRLML2803TRPBF.pdf..
Код товара: 74 15
12.10 грн.
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-30V; Id=-0,76A; Pdmax=0,54W; Rds=0,6 Ohm IRLML5103TR.pdf..
Код товара: 18103
22.50 грн.
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=30V; Id=3A; Pdmax=1,25W; Rds=98 mOhm @ 3A, 10V IRLML5203TRPBF.pdf..
Код товара: 9803
8.10 грн.
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT23 Udss=-20V; Id=-3,5A; Pdmax=1,1W; Rds=0,06 Ohm IRLML6402TRPBF.pdf..
Код товара: 22281
9.00 грн.
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT23 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=1,3W; Rds=0,064 Ohm ..
Код товара: 24526
63.00 грн.
Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A ..
Код товара: 30949
32.40 грн.
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC ..
Код товара: 42960
67.50 грн.
Транзистор МОП TO-252AA (DPAK) 40V 1 N-CH HEXFET 4,9mOhms 42А; 140W (Tc)..
Код товара: 21528
24.70 грн.
MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK IRLR3410PBF.pdf..
Код товара: 32068
63.00 грн.
Транз. Пол. TO-252-3 (DPAK) MOSFET N-Channel U=30V I=65A(TC = 25°C) Rds=6,3 mOhm @ 20A, 10V, 65 W ..
Код товара: 46884
108.00 грн.
Транзистор полевой TSDSON-8 N-Channel MOSFET Udss=30 V; Id=82 A; Rds=0,0035 Ohm Pd=36 W..
Код товара: 46882
108.00 грн.
Транзистор полевой TSDSON-8 N-Channel MOSFET Udss=30 V; Id=40 A; Rds=0,0046 Ohm Pd=37 W..
Код товара: 47195
57.60 грн.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 140Вт; DPAK..
Код товара: 48050
180.00 грн.
Транзистор полевой TDSON-8 N-MOSFET Vds=120V, Id=63A, Rds=0,0104Ohm, Pd=94W..
Код товара: 42744
3 870.00 грн.
Транз. RF Mosfet 28 V 600 mA 960MHz 18.5dB 55W H-36265-2..
Код товара: 10509
877.50 грн.
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF180101M.pdf..
Напряжение: 65В
Выходная мощность: 10 Вт
Тип транзистора: LDMOS
Усиление: 16.5дБ
Частотный диапазон: 1.99ГГц
Код товара: 10997
1 662.80 грн.
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm PTF180101S.pdf..
Напряжение: 65В
Выходная мощность: 10 Вт
Тип транзистора: LDMOS
Усиление: 19дБ
Частотный диапазон: 1.99ГГц
Код товара: 13675
3 142.40 грн.
High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W PTFA210301E.pdf..
Напряжение: 65В
Выходная мощность: 30 Вт
Тип транзистора: MOSFET
ток: 0.3 А
Усиление: 17дБ
Код товара: 79 1
27.00 грн.
Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W BGA420.pdf..