Код товара: 42697
888.70 грн.
ИМС ВЧ QFN-12 (3x3mm) 0,4-8,0 GHz Medium Power 0,5 W, Wideband, High IP3 Monolithic Amplifier..
Код товара: 45328
6 750.00 грн.
ІМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) 0,01-6,0 GHz Power Amplifier 2 W Psat, Wideband, High OIP3 +44,5 dBm, Vs=12 V, Id=0,4 A..
Код товара: 48581
254.20 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 0,05-4 GHz Silicon Germanium MMIC amp...
Код товара: 47554
148.50 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier, G=20,4 dB, IP3out=+29,4 dBm, P1dB=16,2 dBm Nf=2,5 dB @ 1950 MHz, Vd=+5 V, Id=9..
Код товара: 47757
495.00 грн.
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low-Noise LNA, 0,54dB NF @ 3,5 GHz..
Код товара: 42443
967.50 грн.
Frequency Multiplier x3, input 150-300 MHz, output 450-900 MHz..
Код товара: 45796
5 625.00 грн.
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz..
Код товара: 45324
2 354.40 грн.
ІМС ВЧ QFN-24 (4x4mm) 12-16 GHz Linear Power Amplifier, Gss=17 dB, OIP3=41 dBm, Psat=32 dBm..
Код товара: 43171
6 750.00 грн.
ІМС НВЧ {-Band (9,5-13,3 GHz) Power Amplifier MMIC, Pout=33.0dBm (typ.), Gl=26 dB..
Код товара: 47044
1 215.00 грн.
ІМС Prescaler 18 GHz divide by 2 prescaler 16-WFQFN..
Код товара: 17580
78.70 грн.
QFN12 DC-3,5 GHz Broadband Low Power SP3T Switch RF1136.pdf..
Тип микросхемы: РЧ Переключатель
Частотный диапазон: DC -3.5 ГГц
Код товара: 22495
65.20 грн.
QFN(2x2mm) 0,1-3,5 GHz SPDT RF Switch RF1602.pdf..
Тип микросхемы: РЧ Переключатель
Частотный диапазон: 0.1-3.5 ГГц
Код товара: 13918
490.50 грн.
ИМС RF RF2312 Data Sheet.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC-2.5ГГц
Код товара: 13387
477.00 грн.
ИМС RF RF2317.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC-3ГГц
Код товара: 24834
60.80 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 (SC70) 10 MHz-4 GHz Broadband Medium Power SPDT Switch..
Тип микросхемы: РЧ Коммутаторы
Частотный диапазон: 10 МГц-4 ГГц
Код товара: 15083
229.50 грн.
ИМС GaAs HBT RF amplifier IC DC to 6 Ghz Gss=20 dB Nf=3,5 dB P1dB=18 dBm RF3374.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC-6ГГц
Код товара: 15007
231.80 грн.
ИМС GaAs HBT RF amplifier IC DC to 6 Ghz Gss=22dB Nf=2dB P1dB=11dBm RF3376.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC-6ГГц
Код товара: 18407
463.50 грн.
ИМС GaAs HBT RF amplifier IC DC to 6 GHz Gss=22dB Nf=2dB P1dB=11,5 dBm RF3396.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC - 6 GH
Код товара: 14216
321.70 грн.
ИМС RF QFN16 Широкополосный малошум. линейный усилитель 0,7-3,8 GHz, Nf=0,8 dB, Us=2,5...6 V, Is=90 mA, OIP3=36 dBm RF3863.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 0.7 - 3.8 ГГц
Код товара: 20499
427.50 грн.
ИМС RF QFN16 GSM Power Amplifier, Vs=2,7-4,8 V, Pout=34,5 dBm RF5110G.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 150-960МГц
Код товара: 37885
3 600.00 грн.
RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V A2I08H040NR1.pdf..
Код товара: 13707
343.80 грн.
SSOP-16 GaAs IC 5-bit Digital Attenuator 0.5 dB LSB Positive Control 0.5-2.5 GHz AA101-80LF.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Атенюатор
Частотный диапазон: 0.5-2.5 ГГц
Код товара: 11551
303.30 грн.
SSOP-16 GaAs IC 5-bit Digital Attenuator 0.5 dB LSB Positive Control 0.5-2.5 GHz AA102-80.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Атенюатор
Частотный диапазон: 0.5-2.5 ГГц
Код товара: 15124
279.90 грн.
TSSOP-16 GaAs IC 4-bit Digital Attenuator 2 dB LSB Positive Control 0.5-2 GHz AA264-87LF.pdf..
Тип микросхемы: Атенюатор
Частотный диапазон: 0.5-2 ГГц
