Заканчивается
Код товара: 30202
200.20 грн.
ИМС ОП/Комп SO Интегральная схема-8 Ultra Low Pwr 250mkA; 1 Channel ; 5V; Fully-Differential THS4531IDR.pdf..
Код товара: 7702
13.70 грн.
ИМС операционный усилитель SO8 Low-power JFET-Input General-Purpose OpAmp..
Напряжение: 7 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: J-FET Amplifier 2 Circuit
Код товара: 91 66
31.70 грн.
ИМС операционный усилитель SO8 Low-noise JFET OpAmp; 13V/mks 18V двухполярный..
Заканчивается
Код товара: 37921
13.50 грн.
ИМС операционный усилитель SO8 Low-noise JFET OpAmp; 13V/mks 18V TL071IDT.pdf..
Напряжение: 6 В…36 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: J-FET Amplifier 1 Circuit
Код товара: 91 82
17.60 грн.
ИМС операционный усилитель SO8 Dual low-noise JFET OpAmp; 13V/mks 18V двухполярный..
Напряжение: 7 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: J-FET Amplifier 2 Circuit
Код товара: 17666
14.60 грн.
ИМС операционный усилитель SO Интегральная схема 8 JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier..
Напряжение: 7 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: J-FET Amplifier 1 Circuit
Код товара: 5356
25.40 грн.
ИМС операционный усилитель DIP8 JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier TL081IP.pdf..
Напряжение: 7 В
Вид монтажа: Вивідний монтаж(Through Hole)
Корпус: PDIP 8/14/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: J-FET Amplifier 1 Circuit
Код товара: 91 71
11.20 грн.
ИМС операционный усилитель SO8 Dual OpAmp; 16V/mks 4MHz, 18V двухполярный..
Напряжение: 7 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: J-FET Amplifier 2 Circuit
Код товара: 5360
20.40 грн.
ИМС операционный усилитель SO14 Quad OpAmp; 16V/mks 4MHz, 18V двухполярный..
Код товара: 9964
34.30 грн.
Широтно импульсный модуляционный (ШИМ) контроллер SOP-16 2 выхода 40В 200мА 300 kHz | Pulse width modulation (PWM) controller SOP-16 2 outputs 40V 200mA 300kHz TL494ID.pdf..
Напряжение: 40 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOP 8/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: Buck, Boost, Flyback, Forward Converter, Full-Bridge, Half-Bridge, Push-Pull Regulator Positive Output Step-Up, Step-Down, Step-Up/Step-Down DC-DC Controller
Код товара: 11084
48.40 грн.
Операционный усилитель с интегральной схемой TLC2272/SO/TLC2272CD..
Напряжение: 4.4 В...12 В, ±2.2 В...6 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Код товара: 39698
478.80 грн.
ИМС операционный усилитель Dual Low Noise SO Интегральная схема-8 2 Channel TLE2072AID.pdf..
Код товара: 29941
468.00 грн.
ИМС DIP-8 High Speed Low Noise 2 Channel Operational Amplifier TLE2072AIP.pdf..
Код товара: 29900
760.50 грн.
ИМС DIP-14 High Speed Low Noise 4 Channel Operational Amplifier TLE2074AIN.pdf..
Код товара: 27251
87.80 грн.
ИМС SO8 500-mkA/Ch, 3-MHz, Rail-to-Rail OA TLV2372ID.pdf..
Напряжение: 2.7 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: General Purpose Amplifier 2 Circuit
Код товара: 39001
175.50 грн.
ИМС SO Интегральная схема-8 Операционный усилитель Rail-to-Rail Vs=2.2 V~5.5 V,Response Time 4,5 ns, -40°C~125°C..
Код товара: 33077
247.50 грн.
ИМС SOT-23-6 Операционный усилитель Rail-to-Rail Vs=2.2 V~5.5 V,Response Time 4,5 ns, -40°C~125°C..
Код товара: 38132
44.10 грн.
ИМС SO8 Операционный усилитель; JFET Input; Low Noise: 3.5 nV/Hz; 1,7 V to 5,5 V; Low IQ = 990 µA/ch (double) TLV6742IDR.pdf..
Напряжение: 1.7 В…5.5 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: -40...+125°C
Тип микросхемы: CMOS Amplifier 2 Circuit
Код товара: 31715
54.00 грн.
ИМС SOT-23-5 Operational Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail, 8 MHz Gain Bandwidth, Vs=2.5~5.5 V, -40°~125°C TSV911AILT.pdf..
Код товара: 32787
6.80 грн.
ИМС SO8 General Purpose Operational Amplifiers; A741CD Usup =+/-18V; Isup=2,8mA; 0°C to 70°C UA741CDR.pdf..
Напряжение: 3 В…36 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Рабочая температура: 0...+70°С
Тип микросхемы: General Purpose Amplifier 1 Circuit
Код товара: 13851
45.90 грн.
ИМС SO8 General Purpose Operational Amplifiers; Usup =+/-22V; Isup=2,8mA..
Код товара: 4252
28.80 грн.
ИМС SO8 Electrically Erasable PROM 8kBit; 400kHz; four blocks of 256x8-bit memory with a 2-wire serial interface..
Напряжение: 2.5 В
Вид монтажа: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/16/28
Рабочая температура: -40...+85°С
Тип микросхемы: Electrically Erasable PROM 8kBit
Код товара: 38508
450.00 грн.
ИМС SO8 EEPROM Memory IC 1Mb (128K x 8) 400 kHz 900 ns, Vs=2,5-5,5V 24LC1025-I-SN.pdf..
Код товара: 6551
198.00 грн.
ИМС SOT23-6 Serial, 4-Wire, SDI, SPI EEPROM 2 kbit Vs=1,8-5,5V 25AA02UIDT-I-OT.pdf..
