Код товара: 13 77
0.80 грн.
Конденсатор керамический KDR 3,3 нФ 20% 50 В Z5U..
Верхняя рабочая температура: +105°C
Диэлектрик: n/a
емкость: 3.3 нФ
Напряжение: 50 В
Нижняя рабочая температура: -40°C
Код товара: 16824
108.00 грн.
3GHz INPUT DIVIDE BY 256, 128, 64 PRESCALER IC FOR ANALOG DBS TUNERS UPB1507GV-E1-A.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Передильник частоты
Частотный диапазон: 3.0 ГГц
Код товара: 17732
157.50 грн.
SSOP8 Делитель частоты на 2 для DBS тюнеров, Fin=0,5-3,0 GHz, Vs=5 V, Id=12 mA UPB1508GV-E1-A.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Передильник частоты
Частотный диапазон: 3.0 ГГц
Код товара: 16979
270.00 грн.
SSOP8 Делитель частоты на 4 для DBS тюнеров, 0,5-3,0 GHz UPB1510GV-E1-A.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Передильник частоты
Частотный диапазон: 3.0 ГГц
Код товара: 18034
99.00 грн.
ИМС ВЧ Silicon MMIC Buffer Amplifier for DBS Tuner , Vcc=4,5-5,5 V, Gp=13 dB, P1dB=+1 dBm @ 2,9 GHz UPC2711TB-E3.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Беспроводной радиосвязь - разное
Частотный диапазон: 2.9 ГГц
Код товара: 18008
56.70 грн.
ИМС ВЧ Silicon MMIC Medium Output Power Amplifier for Mobile Communication, Vcc=2,7-3,3 V, P1dB=+8 dBm @ 0,9 GHz UPC2762TB-E3.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 0.9 ГГц
Заканчивается
Код товара: 18656
21.60 грн.
Оптрон SMD-PDIP-4 NPN Phototransistor PS2505L-1-E3.pdf..
Код товара: 15962
105.30 грн.
Транз. Пол. СВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz NE3210S01.pdf..
Напряжение: 4 В
Тип транзистора: HFET
ток: 15мА
Усиление: 13.5дБ
Частотный диапазон: 12ГГц
Заканчивается
Код товара: 19898
207.90 грн.
Транз. пол. мощн. ВЧ SOT-89 N-Channel NEWMOS, 32.5 dB, 1.9 GHz, 3.0-6.0 V, 400 mA NE5500234.pdf..
Напряжение: 3В ~ 5В
Тип транзистора: N-ChАnnel
ток: 0.4 А
Усиление: 32.5 дБ
Частотный диапазон: 1.9 ГГц
Код товара: 18453
0.00 грн.
ИМС DIP24 Programmable timer/counter..
Код товара: 18889
0.00 грн.
Интегральная схема UPD71055/PLCC/UPD71055L NEC PLCC44..
Код товара: 6794
15.00 грн.
HIGH ISOLATION VOLTAGE SINGLE TRANSISTOR (NPN) DIP4 Vceo = 80V ..
Код товара: 25451
202.50 грн.
Silicon PNP Power Transistor TO-3 -200V -10A (2SB555) 2SB600.pdf..
Код товара: 25455
202.50 грн.
Silicon NPN Power Transistor TO-3 200V 10A (2SB600)..
Код товара: 21601
12.60 грн.
NPN RF Low-Noise VHF, UHF and CATV; Vcbo=20V; Ic =0,1A 2SC3356-T1B-R24.pdf..
Код товара: 21602
25.20 грн.
NPN RF Low-Noise VHF, UHF and CATV; Vcbo=20V; Ic =0,1A; SOT89 2SC3357.pdf..
Коэффициент усиления по постоянному току: 50 @ 20мА, 10В
Напряжение коллектор-эмиттер: 12В
Тип транзистора: NPN
Ток коллектора Ic: 0.1А
Шум (dBtyp@f): 1.4дБ @ 1ГГц
Код товара: 13715
243.00 грн.
Транз. пол. СВЧ C-band Super Low Noise HJFET, Nf=0,25 dB, G=16 dB @ 4 GHz, Vds=2 V, Id=15 mA, Idss=80 mA NE334S01.pdf..
Код товара: 22533
105.30 грн.
Транз. Пол. СВЧ SOT-343F L to S Band Low Noise N-Channel HJ-FET, Nf=0,35 dB, Ga=19 dB @ 2 GHz NE3510M04-A.pdf..