Меню
Украина, г. Киев, ул. Гетьмана Павла Полуботка 22/14, 1 этаж, фасад дома.
Пн-пт - 09:00 - 16:00
Сб-Вс - выходной
Время работы магазина:
  • Пн-пт - 09:00 - 16:00
  • Сб-Вс - выходной

RFMD

Заканчивается
Микросхема РЧ/СВЧ SBF-4089Z RFMD
0
Код товара: 19098
382.50 грн.
ВЧ усилитель DC-500 MHz, Gss=14,7 dB, P1dB=20,1 dBm, Nf=3,3 dB, Ud=5 V, Id=90 mA, SOT-89 SBF4089Z.pdf..
Тип корпуса: Through Hole Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC - 500 МГц
Микросхема РЧ/СВЧ SBF-5089Z RFMD
0
Код товара: 22413
382.50 грн.
ВЧ усилитель DC-500 MHz, Gss=21 dB, P1dB=21 dBm, Nf=3,8 dB, Ud=5 V, Id=90 mA, SOT-89 SBF-5089Z.pdf..
Тип корпуса: Through Hole Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC - 500 МГц
Микросхема РЧ/СВЧ SGA-1263Z RFMD
0
Код товара: 25094
83.30 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 DC-4000 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block SGA-1263Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC-4 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SGA-4463Z RFMD
0
Код товара: 20065
267.70 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 GHz, Cascadable SiGe HBT MMIC Amplifier Gss=17 dB, P1dB=12,3 dBm, Nf=2,8 dB @ 1950 MHz, Vd=3,2 V, Id=45 mA SGA-4463Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC -3.5 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SGA-4563Z RFMD
0
Код товара: 15945
114.80 грн.
DC-2500 Ghz, Cascadable SiGe HBT MMIC Amplifier Gss=20,2 dB, P1dB=12,8 dBm, Nf=2,4 dB @ 1950 MHz, Vd=3,6 V, Id=45 mA SGA-4563Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC - 2.5 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SGA-5586Z RFMD
0
Код товара: 11961
146.20 грн.
DC-4GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA SGA-5586Z.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC-4 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SGA-6289Z RFMD
0
Код товара: 8324
245.30 грн.
DC-4500 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block SGA-6289Z.pdf..
Тип корпуса: Through Hole Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC - 4.5 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SGA-6589Z RFMD
0
Код товара: 6889
180.00 грн.
DC-3500 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block SGA-6589Z.pdf..
Тип корпуса: Through Hole Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC -3.5 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SGA-7489Z RFMD
0
Код товара: 6890
162.00 грн.
DC-3000 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block RoHS Compliant SGA-7489Z.pdf..
Тип корпуса: Through Hole Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC-3 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SGA-9289Z RFMD
0
Код товара: 8464
267.70 грн.
DC-3500 MHz Silicon Germanium HBT Amplifier 11,0 dB, 28,6 dBm, SOT89 SGA-9289Z.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: DC-3500 МГц
Микросхема РЧ/СВЧ SPB-2026Z RFMD
0
Код товара: 17007
652.50 грн.
SOF-26 0.7-2.2 GHz 2W InGaP HBT Amplifier, Gss=13,7 dB, P1dB=33,8 dBm, Nf=5,2 dB @ 1960 MHz SPB-2026Z.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: 1.7 - 2.2ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SPF-5189Z RFMD
0
Код товара: 17457
315.00 грн.
SOT89 GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,7 dB, Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=39,5 dBm, P1dB=22,7 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA SPF-5189Z.pdf..
Тип корпуса: Through Hole Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: 50 МГц - 4 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ STA5063ZSR RFMD
0
Код товара: 25951
448.60 грн.
RF Amplifier IC General Purpose 3.3GHz ~ 3.8GHz SOT-363 STA5063ZSR.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: 3.3 - 6.2 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SW1012 RFMD
0
Код товара: 23972
90.00 грн.
ИМС QFN12 5-6000 MHz Broadband SPDT Switch RFSW1012.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: РЧ Коммутаторы Частотный диапазон: 5 МГц - 6 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SW6032 RFMD
0
Код товара: 23247
112.50 грн.
ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP3T Switch RFSW6032.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: РЧ Коммутаторы Частотный диапазон: 5 МГц - 6 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SW6042 RFMD
0
Код товара: 23389
139.50 грн.
ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP4T Switch RFSW6042.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: РЧ Коммутаторы Частотный диапазон: 5 МГц - 6 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SW6223 RFMD
0
Код товара: 22361
112.50 грн.
ИМС QFN12 10-6000 MHz DPDT Symmetric Switch RFSW6223.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: РЧ Коммутаторы Частотный диапазон: 10 МГц -6 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SW8000 RFMD
0
Код товара: 22683
135.00 грн.
ИМС QFN-8 (2x2x0,55mm) 5-6500 MHz 10 W SPDT Switch Vs=2,5-5 V RFSW8000.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: РЧ Коммутаторы Частотный диапазон: 5 МГц - 6.5 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SZA-2044Z RFMD
0
Код товара: 9945
333.00 грн.
2.0-2.7GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=29dBm; Pout=22dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=300mA; NF=6.1dB SZA-2044Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: 700 МГц - 2.7 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SZA-5044Z RFMD
0
Код товара: 11416
450.00 грн.
ИМС СВЧ 4,9-5,9GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=29,5 dBm; Pout=22dBm; Gain=29,2dB; Vd=5V; Icq=220mA; NF=6,3dB @ 5,15 GHz SZA-5044Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: 4.9 - 5.9 ГГц
Микросхема РЧ/СВЧ SZP-5026Z RFMD
0
Код товара: 17700
954.00 грн.
SOF-26 InGaP HBT Power Amplifier. 4,9 GHz to 5,9 GHz 2W SZP-5026Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT Тип микросхемы: Усилитель Частотный диапазон: 4.9 - 5.9 ГГц
Транзисторная сборка биполярная SGA-3463Z RFMD
0
Код товара: 11412
135.00 грн.
Транзисторная сборка биполярная SOT363 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe f=2GHz; 11dBm Lead Free..
Транзисторная сборка биполярная SGA-4386Z RFMD
0
Код товара: 13750
76.50 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4,5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=14,6 dB, Nf=3,1 dB @ 1,95 GHz ..
Транзисторная сборка биполярная SGA-6486Z RFMD
0
Код товара: 11414
150.30 грн.
Транзисторная сборка биполярная ВЧ DC-4,5 GHz Gss=16,4 dB P1dB=18,5 dBm Nf=3,3 dB @ 1,95 GHz P86 SGA-6486Z.pdf..