Меню
Украина, г. Киев, ул. Гетьмана Павла Полуботка 22/14, 1 этаж, фасад дома.
Пн-пт - 09:00 - 16:00
Сб-Вс - выходной
Время работы магазина:
  • Пн-пт - 09:00 - 16:00
  • Сб-Вс - выходной

Транзисторы

Транзистор полевой SI7234DP-T1-GE3 Vishay
0
Код товара: 46275
247.50 грн.
Транз. Пол. БМ PowerPAK-SO-8 MOSFET N-channel 12 V; 60 A; 3,4 mOhm Pmax=46 W..
Заканчивается
Транзистор полевой SI7852DP-T1-GE3 Vishay
0
Код товара: 25552
315.00 грн.
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 SI7852DP-T1-GE3.pdf..
Транзистор полевой SI7997DP-T1-GE3 Vishay
0
Код товара: 39278
157.50 грн.
Транз. Пол. БМ MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 ..
Транзистор полевой SISS05DN-T1-GE3 Vishay
0
Код товара: 42815
112.50 грн.
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт..
Транзистор полевой SMT AONR21357 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
Код товара: 46509
45.00 грн.
Транзистор полевой SMT 8-DFN-EP (3x3) P-MOSFET Vdss = 30 V, Id = 21A (Ta), 34A (Tc), Rds = 7.8mOhm @ 20A, 10V, Pd = 5W (Ta), 30W (Tc)..
Транзистор полевой SQ2361ES-T1_GE3 Vishay
0
Код товара: 45969
85.50 грн.
Транз. Пол. ММ P-MOSFET -60В -2,8А Idm: -11А 0,67Вт..
Заканчивается
Транзистор полевой SQ4917EY-T1_GE3 Vishay
0
Код товара: 26441
130.10 грн.
Транз. Пол. MOSFET 2P-CH 60V 7A 8SOIC Q101 Qualified SQ4917EY-T1_GE3.pdf..
Транзистор полевой SQ7415CENW-T1_GE3 Vishay
0
Код товара: 42923
134.10 грн.
P-Channel 60 V 16A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W..
Транзистор полевой SQD50P08-25L_GE3 Vishay
0
Код товара: 28359
144.00 грн.
Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W AEC-Q101..
Транзистор полевой SQJB90EP-T1_GE3 Vishay
0
Код товара: 42195
90.00 грн.
Транз. Пол. ММ 2N MOSFET PowerPAK-SO-8-4 Udss=80V; Id=30A; Pdmax=48W; Rds=0,0179 Ohm..
Транзистор полевой SSM6L56FE,LM Toshiba
0
Код товара: 39059
16.20 грн.
Транз. Пол. ММ N&P MOSFET ES-6 Udss=(20; -20)V; Id=(0,8; -0,8)A; Pdmax=1/4W; Rds=(0,235; 0,39) Ohm SSM6L56FE,LM.pdf..
Транзистор полевой STB100N6F7 STM
0
Код товара: 40471
108.00 грн.
Транзистор полевой мощный MOSFET, N-Ch, D2PAK (TO-263-3); 60 В; 100 A; 0.0056 Ohm; Pd=125W..
Заканчивается
Транзистор полевой STD2HNK60Z STM
0
Код товара: 26783
63.00 грн.
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; 600 В STD2HNK60Z.pdf..
Транзистор полевой STP4NK60ZFP STM
0
Код товара: 23734
29.70 грн.
MOSFET силовой транзистор, N-канал; TO-220FP; 600 V; 4 A; 2 Ohm STP4NK60ZFP.pdf..
Транзистор полевой STP9NB50 STM
0
Код товара: 9884
117.00 грн.
Транзистор полевой N-ch; TO-220-3; 500 V; 8.6 A STP9NB50.pdf..
Транзистор полевой SUD50P06-15L-E3 Vishay
0
Код товара: 26348
211.50 грн.
Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W.SUD50P06-15L-E3.pdf..
Транзистор полевой SUD50P08-25L-E3 Vishay
0
Код товара: 27359
157.50 грн.
Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W ..
Заканчивается
Транзистор полевой SUD50P10-43L-E3 Vishay
0
Код товара: 39810
207.00 грн.
Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W SUD50P10-43L-E3.pdf..
Транзистор полевой VS-FB190SA10 Vishay
0
Код товара: 32713
2 475.00 грн.
Транз. Пол. БМ N-MOSFET SOT-227-4 (miniBLOC) Udss=100V; Id=190A; Pdmax=568W; Rds=6.5mOhm @ 180A, 10V VS-FB190SA10.pdf..
Транзистор полевой WMK20N65C2 WAYON
0
Код товара: 40067
126.00 грн.
Транзистор полевой TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W..
Транзистор полевой ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated
0
Код товара: 42194
81.00 грн.
Транз. Пол. ММ P-Channel MOSFET SOT-26-6 Udss=30V; Id=4 A; Pdmax=1,7 W..
Транзистор полевой СВЧ/РЧ ATF-26884 Agilent
0
Код товара: 4878
174.40 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs FET 2-16 GHz P1dB=18 dBm at 12 GHz, Gss=9 dB ATF-26884.pdf..
Заканчивается
Транзистор полевой СВЧ/РЧ FLK027WG Fujitsu
0
Код товара: 76 38
3 296.80 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf..
Напряжение: 10 В Выходная мощность: 24.0 дБм Тип транзистора: FET ток: 60 мА Усиление: 7.0 дБ
Заканчивается
Транзистор полевой СВЧ/РЧ LP750SOT89 Filtronic
0
Код товара: 3934
556.60 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=16.0 dB, IP3=40.0 dBm, Nf=0.7 dB; Idss=180..265 mA; PAE= LP750SOT89-3.pdf..
Напряжение: 5 В Выходная мощность: 24.0 дБм Тип транзистора: PHEMT ток: 180 мА Усиление: 16.0 дБ
Транзисторы