Закінчується
Код товару: 37698
150.80 грн.
Діод Шотткі TO-252-2 (DPAK) U=650V I=35A(T=25C) Vf=1,27V; Silicon Carbide 6th Gen..
Код товару: 16976
33.80 грн.
Светодиод d3мм белый 3850-11000 Luminous Flux (mlm) 3000мкд 90 град 7,6x7,6 мм CP41B-WGS-CK0P0154.pdf..
Код товару: 15665
7.30 грн.
Светодиод 5мм желт. 591нм 4800мкд 30град LC503UYL1-30Q-00001.pdf..
Код товару: 22258
3 150.00 грн.
RF Power Transistor QFN-6 DC-6 GHz 8 Watt 28 V GaN HEMT CGH40006S.pdf..
Напруга: 84В
Вихідна потужність: 8 Вт
Посилення: 13дБ
струм: 3.5А
Тип транзистора: HEMT
Код товару: 27155
5 850.00 грн.
RF Power Transistor DC-6 GHz 12.5 Watt 84 V GaN HEMT CGH40010F.pdf..
Код товару: 37653
139.50 грн.
Діод Шотткі TO-220-2 U=650V I=19A(T=25C) 6A (T=154C) Vf=1,5V; Silicon Carbide ..
Код товару: 37655
205.20 грн.
Діод Шотткі TO-220-2 U=600V I=30A(T=25C) 10A (T=153C) Vf=1,5V; Silicon Carbide..
Код товару: 37635
220.50 грн.
Діод Шотткі TO-252-2 (DPAK) U=650V I=32A(T=25C) Vf=1,5V; Silicon Carbide ..
Код товару: 38147
86.80 грн.
Діод Шотткі TO-220-2 U=650V I=18A(T=25C) Vf=1,27V; Silicon Carbide 6th Gen..
Код товару: 37734
168.80 грн.
Діод Шотткі TO-220-2 U=650V I=30A(T=25C) Vf=1,27V; Silicon Carbide 6th Gen..
Код товару: 37634
40.10 грн.
Діод Шотткі TO-220-2 U=600V I=4A(T=25C) Vf=1,6V; Silicon Carbide..
Код товару: 38893
0.00 грн.
GaN MMIC Power Amplifier 6-12 GHz, Gp=28 dB, Pout=46,2 dBm..
Код товару: 38033
0.00 грн.
GaN MMIC Power Amplifier 8,5-11 GHz, Gp=16 dB, Pout=45,5 dBm, PAE: 36% (typ.)..
Код товару: 38052
0.00 грн.
GaN MMIC Power Amplifier 8,0-12 GHz, Gp=19,6 dB, Pout=45,6 dBm, PAE: 36% (typ.) @ 12 GHz..
Код товару: 15664
12.20 грн.
Светодиод 5мм зелен. 527нм 7500мкд 30град LC503TPG1-30Q-00001.pdf..
Код товару: 15663
7.30 грн.
Светодиод 5мм красн. 624нм 5100мкд 30град..
Код товару: 32675
67.50 грн.
Светодиод SMD 595 nm High Power LEDs - Single Colour Amber, 26.8lm, PLCC-4..
Код товару: 30433
0.00 грн.
Тестова плата для оцінки транзистора CGH40010F CGH40010F-TB.pdf..
Код товару: 38582
0.00 грн.
RF Power Transistor JFET GaN DC-2 GHz 60 Watt 120 V Gain=12,4 dB..
Код товару: 30479
7 200.00 грн.
RF Power Transistor JFET GaN DC-8 GHz 10 Watt 120 V Gain=16,5 dB CG2H40010F.pdf..
Код товару: 38901
4 725.00 грн.
RF Power Transistor DC-6 GHz 8 Watt 28 V GaN HEMT CGH40006P.pdf..