Код товару: 42924
54.00 грн.
N-Channel 30 V 25A (Ta), 28A (Tc) 3.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)..
Код товару: 42315
15 750.00 грн.
RF Power Transistor DC-6 GHz 30 Watt 50 V Gain 15,8 dB GaN HEMT..
Код товару: 43122
1 935.00 грн.
DC – 12 GHz, 32 V, 5 W GaN RF Transistor, QFN-16 (3x3mm)..
Код товару: 42997
182.30 грн.
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.045-6 GHz; MiniPak-4 (1,4x1,18x0,85mm) ;:P1dB=18.4 dBm, IP3=31,4 dBm, Nf=0,6 dB @(2.0 GHz, +3V/+4V, 60 mA)..
Код товару: 47596
4 050.00 грн.
GaN RF Power Transistor QFN-20 (4x3 mm) DC –6 GHz, 48 V, 35 W..
Код товару: 42340
1 440.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1483-1 0,01-2,7 GHz, 20 W, 19 dB, Vds=28 V, Idsx=6 A, PAE=63%, LDMOS..
Код товару: 47478
2 160.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1482-1 0,01-2,7 GHz, 20 W, 19 dB, Vds=28 V, Idsx=6 A, PAE=63%, LDMOS..
Код товару: 8558
261.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; 0,5-12GHz; 36 micro -X package; @(4.0 GHz, 4V, 70 mA): P-1dB=20 dBm, G1db=12 dB, Nf=0.8 dB; Idss=130 mA ATF-10236.pdf..
Частотний діапазон: 0.5-12ГГц
Шум (dBtyp@f): 0.8 дБ
Код товару: 4878
174.40 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET 2-16 GHz P1dB=18 dBm at 12 GHz, Gss=9 dB ATF-26884.pdf..
Код товару: 15538
171.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 0.45-10GHz; SOT343; @(1,9 GHz, 4V, 60 mA): P-1dB=20.0 dBm, G-1dB=17,5 B, IP3=31,5 dBm, Nf=0.5 dB; Idss=90...145 mA ATF-34143-BLKG.pdf..
Напруга: 5.5 В
Вихідна потужність: 20 дБм
Посилення: 17.5дБ
струм: 145мА
Тип транзистора: pHEMT FET
Код товару: 19091
128.30 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 0.45-10GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 4V, 15 mA): P-1dB=11.0 dBm, G-1dB=11.0 dB, IP3=21.0 dBm, Nf=0.4 dB; Idss=40..80 mA; PAE= ATF-35143-BLKG.pdf..
Напруга: 5.5 В
Вихідна потужність: 10 дБм
Посилення: 18дБ
струм: 80мА
Тип транзистора: pHEMT FET
Код товару: 31285
321.40 грн.
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.04-3,9GHz; LPCC8; P-1dB=29 dBm, IP3=45,5 dBm, Nf=1 dB; Gss=15 dB(2.0 GHz, 4,5V, 280 mA) ATF-501P8-BLK.pdf..
Код товару: 19439
337.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.05-6GHz; LPCC8; P-1dB=26,5 dBm, IP3=42 dBm, Nf=1.5 dB; Gss=17 dB(2.0 GHz, 4,5V, 200 mA) ATF-521P8-BLK.pdf..
Напруга: 7В
Вихідна потужність: 26.5 дБм
Посилення: 17дБ
струм: 500 мА
Тип транзистора: pHEMT FET
Код товару: 10827
202.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 3V, 60 mA): P-1dB=20.4 dBm, IP3=36.2 dBm, Nf=0.5 dB; Idss=1 mkA Lead Free ATF-54143-BLKG.pdf..
Напруга: 5 В
Вихідна потужність: 20.4 дБм
Посилення: 16.6дБ
струм: 120 мА
Тип транзистора: pHEMT FET
Код товару: 9644
157.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343; @(2.0 GHz, 2,7V, 10 mA): P-1dB=14,4 dBm, IP3=24,2 dBm, Nf=0.6 dB; Idss=0,1 mkA ATF-55143-TR1G.pdf..
Напруга: 5 В
Вихідна потужність: 14.4 дБм
Посилення: 17.7дБ
струм: 100 мА
Тип транзистора: E-pHEMT
Код товару: 14331
2 671.10 грн.
Транз. Пол. НВЧ LDMOS SOT538A Uds=65V Id=2,2A P=10W G=18,5dB BLF1043.pdf..
Напруга: 65В
Вихідна потужність: 10 Вт
Посилення: 18.5дБ
струм: 2.2А
Тип транзистора: LDMOS
Код товару: 29863
87.60 грн.
Транз. Пол. НВЧ 4-Micro-X 20 GHz Super Low Noise FET CE3520K3-C1.pdf..
Код товару: 22258
3 150.00 грн.
RF Power Transistor QFN-6 DC-6 GHz 8 Watt 28 V GaN HEMT CGH40006S.pdf..
Напруга: 84В
Вихідна потужність: 8 Вт
Посилення: 13дБ
струм: 3.5А
Тип транзистора: HEMT
Код товару: 27155
5 850.00 грн.
RF Power Transistor DC-6 GHz 12.5 Watt 84 V GaN HEMT CGH40010F.pdf..
Код товару: 16385
11 790.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ 8,50-9,60 GHz, 4 W Internally Matched Power FET EIC8596-4.pdf..
Код товару: 10042
416.20 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=20,0 dBm, G1dB=13,5 dB, Idss=30..80 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA018A-70.pdf..
Вихідна потужність: 20.0 дБм
Посилення: 13.5 дБ
струм: 30..80 мА
Тип транзистора: PHEMT
Частотний діапазон: DC-18ГГц
Код товару: 10928
904.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=7,0 dB, Idss=130..320 mA; PAE=40%; @ 12GHz) EPA080A-70.pdf..
Вихідна потужність: 25.5 дБм
Посилення: 7.0 дБ
струм: 130 мА
Тип транзистора: PHEMT
Частотний діапазон: DC-18ГГц
Закінчується
Код товару: 76 38
3 296.80 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf..
Напруга: 10 В
Вихідна потужність: 24.0 дБм
Посилення: 7.0 дБ
струм: 60 мА
Тип транзистора: FET
Закінчується
Код товару: 76 37
5 822.30 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 120 mA): P-1dB=27.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=200..300 mA; PAE=32% FLK057WG.pdf..
Напруга: 10 В
Вихідна потужність: 27.0 дБм
Посилення: 7.0 дБ
струм: 120 мА
Тип транзистора: FET
