Закінчується
Код товару: 76 38
3 315.10 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 60 mA): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=100..150 mA; PAE=34% FLK027WG.pdf..
Напруга: 10 В
Вихідна потужність: 24.0 дБм
Посилення: 7.0 дБ
струм: 60 мА
Тип транзистора: FET
Закінчується
Код товару: 3934
559.70 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=16.0 dB, IP3=40.0 dBm, Nf=0.7 dB; Idss=180..265 mA; PAE= LP750SOT89-3.pdf..
Напруга: 5 В
Вихідна потужність: 24.0 дБм
Посилення: 16.0 дБ
струм: 180 мА
Тип транзистора: PHEMT
Код товару: 9456
972.90 грн.
НВЧ LDMOS тразистор 300-2200 MHZ, 3 W, 19 dB, кераміч. корпус 5,08х4,06х2,28 мм SLD-1083CZ.pdf..
Код товару: 79 3
2 114.00 грн.
Транз. сб. бипол. SOT288D UHF amplifier modules Us=9V; F=(0,4...0,44)GHz; Gp>38,5dB; Pout=(7…9)W; Pin=5mW BGY113A.pdf..
Код товару: 3918
135.80 грн.
Транзисторная сборка биполярная SO8 Silicon Bipolar MMIC 5 GHz Active Double Balanced Mixer/IF Amp Us=(4...8)V; Is=(0,01…0,016)A; Pd=0,3W ..
Код товару: 24729
316.70 грн.
Транзисторная сборка биполярная ВЧ 0,1...1,5 GHz, P1dB=18,1 dBm, Nf=6,5 dB, Gp=7 dB @ 1 GHz MSA-0505-TR1G.pdf..
Код товару: 10826
158.40 грн.
Транзисторная сборка биполярная ВЧ 0,1...6 GHz, P1dB=12,5 dBm, Nf=3,0 dB, Gp=23,0 dB @ 1,0 GHz MSA-0836-BLK.pdf..
Код товару: 9744
167.40 грн.
Транзисторная сборка биполярная ВЧ 0,05...1,3 GHz, P1dB=17,5 dBm, Nf=3,6 dB, Gp=12,7 dB @ 0,5 GHz MSA-1105-TR1G.pdf..
Код товару: 11852
45.20 грн.
Транзисторная сборка биполярная SOT363 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe DC-5GHz; Gss=16,1dB, P1dB=7,2 dBm @1,95GHz Lead Free ..
Код товару: 11412
135.80 грн.
Транзисторная сборка биполярная SOT363 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe f=2GHz; 11dBm Lead Free..
Код товару: 11415
85.10 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=12 dB, Nf=3,7 dB @ 1,95 GHz ..
Код товару: 13750
76.90 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4,5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=14,6 dB, Nf=3,1 dB @ 1,95 GHz ..
Код товару: 17218
191.90 грн.
Транзисторная сборка биполярная ВЧ DC-3,5 GHz Gss=16,3 dB P1dB=15 dBm Nf=3,6 dB @ 1,95 GHz P86 SGA5486Z.pdf..
Код товару: 11414
151.10 грн.
Транзисторная сборка биполярная ВЧ DC-4,5 GHz Gss=16,4 dB P1dB=18,5 dBm Nf=3,3 dB @ 1,95 GHz P86 SGA-6486Z.pdf..
Код товару: 15424
176.50 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm Lead Free SGA-6586Z.pdf..
Код товару: 18481
99.50 грн.
Транзисторная сборка биполярная SOT86 50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK, Gss=14,6 dB, P1dB=10,8 dBm, OIP3=23,5 dBm@1950 MHz, Vd=3 V, Id=25 mA SGC-2486Z.pdf..
Код товару: 79 1
27.20 грн.
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W BGA420.pdf..
Код товару: 47000
36.20 грн.
Транзисторна збірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W..
Код товару: 20082
49.80 грн.
Транз. Пол. ММ P-MOSFET SOT-23-3 Udss=40V; Id=4,1A; Pdmax=3W; Rds=0,094 Ohm Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® SQ2389ES-T1_GE3.pdf..
Закінчується
Код товару: 39060
226.30 грн.
Транз. Пол. ММ 2N MOSFET PowerPAK-8x8-4 Udss=60V; Id=63A; Pdmax=71W; Rds=0,009 Ohm..
Код товару: 41146
32.60 грн.
Транз. сборка пол. SOT-363 N/P-Channel MOSFET Vdss=20 V, Id=700 mA, Rdson=0,3 Ohm, Pd=0,3 W..
Закінчується
Код товару: 46148
4 525.00 грн.
Транз. модуль IGBT Uces=1200V; Ic=50A; Pd=275W;..
Закінчується
Код товару: 46988
4 072.50 грн.
Транз. модуль IGBT Uces=1200V; Ic=75A; Pd=280W;..
Код товару: 44760
2 211.40 грн.
Transistor GP BJT NPN 20V 0.1A 3-Pin UB..
