Код товару: 48247
0.00 грн.
GaN MMIC Power Amplifier 8-12 GHz, Pout=45,5 dBm, Gss=29 dB, PAE=30 %, Vs=28 V, Metal-Ceramic-Package..
Код товару: 48841
0.00 грн.
ІМС НВЧ GaN Power Amplifier 2-6 GHz, Gss=25 dB, Pout=44,5 dBm, PAE: 40% (typ.), Vd=32 V..
Код товару: 43399
0.00 грн.
9.0-10.0 GHz GaN Internally-matched Power Transistor, Gp=9 dB, Psat=55 dBm, PAE=40 %, Vds=+48 V, Vgs=-5 V..