Код товару: 20966
105.70 грн.
ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz BGA616H6327.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: 0 Hz -2.7 ГГц
Код товару: 16370
291.10 грн.
ІМС RF Багатоканальний прийомопередавач 315/433/868 и 915 MHz QLP20 4x4 mm CC1101RTK.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: Радиопередатчик
Частотний діапазон: 300 МГц -928 МГц
Код товару: 27092
166.50 грн.
ІМС RF малоспоживаючий передавач на 315/433/868 и 915 MHz, корп. QLP16 4x4 mm CC1150RGVT.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: РЧ Передавач
Частотний діапазон: 315/433/868 и 915 МГц
Код товару: 39120
360.00 грн.
ІМС QFN-20 (4x4mm) RF малоспоживаючий передавач на 315/433/868 и 915 MHz CC115LRTKR.pdf..
Код товару: 11566
284.10 грн.
ІМС RF Багатоканальний прийомопередавач 2.4ГГц QLP20 4x4 mm CC2500-RTY1.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: Радиопередатчик
Частотний діапазон: 2-4 ГГц
Код товару: 9641
162.00 грн.
CATV and Set-top Box Amplifier 50-860 MHz, Gss=12,5 dB, P1dB=+20,0 dBm, Ud=4,3 V, Id=150 mA, ESOP-8 CGA-3318Z.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: 5 МГц -900 МГц
Код товару: 11959
765.00 грн.
SOIC-8 Dual CATV high linearity GaAs HBT amplifier 1 MHz to 1000 MHz, (Gss=13,4 dB, P1dB=21,0 dBm, Nf=5,6 dB)@ 870 MHz, Vd=5,1 V, Id=160 mA CGA-6618Z.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: 5 МГц -1000 МГц
Код товару: 32217
5 625.00 грн.
ІМС НВЧ QFN-28 (5X5 mm) Low Noise Amplifier with AGC 2-22 GHz CHA3024-QGG-20.pdf..
Код товару: 28304
2 925.00 грн.
ІМС ВЧ QFN-24 GaAs MMIC 5,5-11 GHZ Medium Power Amplifier CHA4250-QDG-20.pdf..
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: 5.5-11 ГГц
Код товару: 22080
3 172.50 грн.
ІМС НВЧ QFN-24 (4x4mm) GaAs SMD MMIC 5.5-9 GHz Medium Power Amplifier CHA5250-QDG-20.pdf..
Тип корпусу: SMD
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: 5.5-9 ГГц
Код товару: 29456
1 804.50 грн.
ІМС ВЧ CQFN-8 (3x3mm) 0,5-8,0 GHz Low Noise, Wideband, High IP3 Monolithic Amplifier CMA-83LN+..
Код товару: 41556
4 500.00 грн.
ІМС RF Amplifier, LNA, 6 to 11 GHz, 20 dB, 16.5 dBm, QFN, 3 x 3 mm..
Код товару: 41505
6 075.00 грн.
ІМС НВЧ QFN-20 (3x4mm) 5-18 GHz Analog Phase Shifter..
Код товару: 32647
4 725.00 грн.
ІМС RF Amplifier, Driver, 6 to 14 GHz, 18 dB, 19 dBm, QFN, 3 x 3 mm..
Код товару: 17265
1 156.50 грн.
QFN28 Cellular-band High Linearity Downconverter CV110-1AF.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: Увеличь. / Сокр. Преобразователи
Код товару: 20180
166.50 грн.
SOT-89 MMIC Amplifier 50-1200 MHz 75 Ohm Gain=13 dB, Nf=3,0 dB, Pout=+18,5 dBm, Vd=3,3, 4,75 or 5 Vdc, Id=110 mA CXE-1089Z.pdf..
Тип корпусу: Through Hole
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: 50 МГц -1.2 ГГц
Код товару: 17518
316.80 грн.
DC-4 GHz Digital Step Attenuator 15,5 dB (step 0,5 dB), 5 Bit, Serial Control Interface, Vs=+3V, 50 Ohm DAT-15R5-SP+..
Тип мікросхеми: Атенюатор
Частотний діапазон: DC-4 ГГц
Код товару: 38695
450.00 грн.
DC-4 GHz Digital Step Attenuator 15,5 dB (step 0,5 dB), 5 Bit, Serial Control Interface, Vs=+3V, 50 Ohm..
Код товару: 15479
450.00 грн.
DC-2,4 GHz Digital Attenuator 31dB (step 1dB), Serial Control Interface, Vs=+3V, 50 Ohm DAT-31A-SP+..
Код товару: 27312
459.00 грн.
DC-4,0 GHz Digital Step Attenuator 31,5 dB (step 0,5 dB), 6 Bit Serial Control Interface, Vs=+3V, 50 Ohm DAT-31R5A-SP+..
Тип мікросхеми: Атенюатор
Частотний діапазон: DC-4.0 ГГц
Код товару: 17216
110.30 грн.
DC-6,0 GHz InGaP HBT Gain Block SOT89 G=20 dB, P1dB=15,5 dBm, Nf=3,8 dB @ 1 GHz, Vd=3,9 V, Id=45 mA ECG002B-G.pdf..
Тип мікросхеми: Радиоуправляемый выключатель
Частотний діапазон: DC-6.0 ГГц
Код товару: 15211
400.50 грн.
InGaP HBT Gain Block SOT-89 V=7,2V I=110mA Fmax=6,0GHz ECG003B-G.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: 0 Hz -6 ГГц
Код товару: 15862
114.80 грн.
DC - 4 GHz InGaP HBT Gain Block SOT-89 P1dB=18,5 dBm, OIP3=35 dBm, Gain=16 dB @ 1 GHz ECG040B-G.pdf..
Тип корпусу: SMD/SMT
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: 4 ГГц
Код товару: 16774
144.00 грн.
DC-6 GHz MMIC Amplifier, Gain=14,9 dB, P1dB=13 dB @ 2 GHz ERA-2SM+..
Тип мікросхеми: Усилитель
Частотний діапазон: DC-6 ГГц
