Код товару: 37372
152.50 грн.
ІМС SO 8 операційний підсилювач; –131 dB THD+N; Low Noise:2.9 nV/Hz; ±2.25 V to ±18 V; High-Fidelity, FET-Input OPA1656ID.pdf..
Напруга: 4.5 В…36 В
Вид монтажу: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Робоча температура: -40...+125°C
Тип мікросхеми: Audio Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail
Код товару: 40439
88.20 грн.
ІМС SO 8 операційний підсилювач; (Dual) Low Noise:3.3 nV/Hz; ±1,5 V to ±18 V; Audio Sound Plus, Bipolar-Input; 0.00006% at 1 kHz; –40°C to +85°C..
Код товару: 39148
88.20 грн.
ІМС SO 8 операційний підсилювач;THD+N, 50 mW, 32 Ω, 1 kHz, –109 dB Low Noise: 8 nV/Hz; ±2.25 V to ±18 V; SoundPlus, FET-Input; Gain Bandwidth: 10 MHz OPA1688IDR.pdf..
Код товару: 39018
99.00 грн.
ІМС операційний підсилювач SO Інтегральна схема-8 SINGLE PRECISION OP-AMPLIFIER OPA170AIDR.pdf..
Код товару: 14270
84.60 грн.
ІМС операційний підсилювач SINGLE PRECISION OP-AMPLIFIER..
Код товару: 21659
753.70 грн.
ІМС SO 8 Precision Operation Amplifier OPA211ID.pdf..
Код товару: 22385
157.50 грн.
Інтегральна схема OPAMP GP 4MHZ DUAL FET 8 SO OPA2131UA.pdf..
Напруга: 4.5 В
Вид монтажу: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Робоча температура: -40...+125°C
Тип мікросхеми: J-FET Amplifier 2 Circuit
Код товару: 14381
495.00 грн.
ІМС операційний підсилювач, SO Інтегральна схема-8, Low Noise 8MHz V= ±2.25 V -18 V..
Код товару: 31272
223.20 грн.
ІМС SO 8 Precision Operation Amplifier..
Код товару: 13943
299.50 грн.
DIP8 High Precision Low Noise Op. Amplifier OPA227PA.pdf..
Напруга: 5 В
Вид монтажу: Вивідний монтаж(Through Hole)
Корпус: PDIP 8/14/16
Робоча температура: -40...+85°С
Тип мікросхеми: General Purpose Amplifier 1 Circuit
Код товару: 10655
67.50 грн.
ІМС SOT-23 Інтегральна схемаro SIZE, Single-Supply CMOS Operational Amplifiers Інтегральна схемаroAmplifiers Series..
Код товару: 26984
405.00 грн.
ІМС операційний підсилювач SO14 Rail-to-Rai Operational Amplifier Vs=4,5-36V, ±2.25 V-18V,-40°C ~ 125°C..
Закінчується
Код товару: 29466
297.00 грн.
DIP8 High Precision Low Noise Op. Amplifier 14 nV/sqrt Hz; +/- 30 V OPA551PA.pdf..
Напруга: 4 В
Вид монтажу: Вивідний монтаж(Through Hole)
Корпус: PDIP 8/14/16
Робоча температура: -40...+85°С
Тип мікросхеми: General Purpose Amplifier 1 Circuit
Код товару: 39500
675.00 грн.
ІМС MSOP-10 Wide-Bandwidth, DC Restoration Circuit..
Закінчується
Код товару: 39897
1 530.00 грн.
ІМС SO8 операційний підсилювач; Low Noise: 4.5 nV/Hz; ±4,5 V to ±18 V; Precision High-Speed, FET-Input, -25C...+85C OPA627AU2K5.pdf..
Код товару: 40838
283.50 грн.
ІМС SO8 операційний підсилювач (single) Low noise; UltraLow Distortion, JFET Input, 4 nV/Hz at 1 kHz; ±4 V to ±18 V (-40C...+125C)..
Код товару: 22263
51.70 грн.
ІМС операційний підсилювач SO8 Single low-noise Op Amp (10MHz)..
Напруга: 10 В
Вид монтажу: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Робоча температура: -40...+85°С
Тип мікросхеми: General Purpose Amplifier 1 Circuit
Код товару: 17719
70.40 грн.
SO Інтегральна схема 8 Internally Compensated Dual Low Noise Op. Amplifier, Vs=±3.0 to ±20 V SE5532AD8G.PDF..
Напруга: 3 В
Вид монтажу: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Робоча температура: -40...+125°C
Тип мікросхеми: General Purpose Amplifier 2 Circuit
Код товару: 28826
445.50 грн.
ІМС SO 16 ADC 10-bit I2C/SRL Interface, Vs=2,7-3.6 V SI8901B-A02-GS.pdf..
Закінчується
Код товару: 21997
450.00 грн.
ІМС MSOP-8 Operational Amplifier..
Код товару: 30925
300.60 грн.
ІМС SO-8 Operational Amplifier High Speed 180MHz V-Feedback THS4061ID.pdf..
Напруга: 9 В...11 В, ±4.5 В...5.5 В
Вид монтажу: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Робоча температура: -40...+85°С
Тип мікросхеми: Voltage Feedback Amplifier 1 Circuit
Закінчується
Код товару: 21575
810.00 грн.
ІМС QFN-16 Min:-40°C; Operating Temperature Max:85°C; Amplifier Case Style:Qfn THS4509RGTT.pdf..
Закінчується
Код товару: 30202
200.20 грн.
ІМС ОП/Комп SO Інтегральна схема-8 Ultra Low Pwr 250mkA; 1 Channel ; 5V; Fully-Differential THS4531IDR.pdf..
Код товару: 7702
13.70 грн.
ІМС операційний підсилювач SO8 Low-power JFET-Input General-Purpose OpAmp..
Напруга: 7 В
Вид монтажу: Поверхневий монтаж(SMD/SMT)
Корпус: SOIC 8/14/16
Робоча температура: -40...+85°С
Тип мікросхеми: J-FET Amplifier 2 Circuit
