Код товара: 42839
787.50 грн.
Атенюатор 75 ohm VCA - Low Insertion Loss..
Код товара: 29942
2 475.00 грн.
широкополосный синтезатор/ГУН со встроенным 6ГГц смесителем, QFN-32 (5x5mm), 85-4200 МГц, Full Duplex Mode..
Код товара: 44740
7 650.00 грн.
RF Mixer 6-14 GHz, 23 dBm IP3, 6 dB Conv Loss, QFN, 3 x 3 mm..
Заканчивается
Код товара: 45688
3 825.00 грн.
ІМС ВЧ QFN-20 (4х3х0,65mm) 8.5 – 10.5 GHz 2W GaN Driver Amplifier..
Заканчивается
Код товара: 43406
15 750.00 грн.
ІМС НВЧ QFN-18 (4,5x4,5х1,74mm) 2-20 GHz2.2 W GaN Driver Amplifier..
Код товара: 47548
146.20 грн.
ИМС SOT-363 50-4000 MHz Active Bias Cascadable SiGe HBT, P1dB=+10.8dBm, OIP3=+22.2dBm в 1950MHz, Vd=3V..
Код товара: 45482
1 305.00 грн.
RF Amplifier, Driver, 1.35 to 2.8 GHz, 19 dB , 30 dBm, SMT Laminate, 4 x 4..
Код товара: 48160
810.00 грн.
ІМС ВЧ QFN-16 (5x5mm) 600 – 1200 MHz 1/2W Balanced Amplifier, Gain=20 dB, Vs=5 V, Id=115 mA..
Код товара: 46076
405.00 грн.
ІМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 1-6 GHz High Linearity Gain Block, Gain=16 dB, P1dB=20 dBm, IP3+35 dBm, Bf=1,4 dB @ 3,5 GHz, Vs=5 V, Id+68 mA..
Код товара: 48581
254.20 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 0,05-4 GHz Silicon Germanium MMIC amp...
Код товара: 47554
148.50 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 DC-3500 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier, G=20,4 dB, IP3out=+29,4 dBm, P1dB=16,2 dBm Nf=2,5 dB @ 1950 MHz, Vd=+5 V, Id=9..
Код товара: 47757
495.00 грн.
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low-Noise LNA, 0,54dB NF @ 3,5 GHz..
Код товара: 45796
5 625.00 грн.
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz..
Код товара: 24834
60.80 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 (SC70) 10 MHz-4 GHz Broadband Medium Power SPDT Switch..
Тип микросхемы: РЧ Коммутаторы
Частотный диапазон: 10 МГц-4 ГГц
Код товара: 28687
108.00 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=11 dB, P1dB=6,5 dBm, OIP3=19 dBm@900 MHz, Vd=4,0 V, Id=20 mA AG201-63G Data Sheet.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 0 Hz -6 ГГц
Код товара: 29189
99.00 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20 dB, P1dB=8 dBm, OIP3=20 dBm@900 MHz, Vd=4,05 V, Id=20 mA AG203-63G.pdf..
Код товара: 25815
123.80 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA SZA-3044Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Код товара: 27279
315.00 грн.
SOT-89 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=21,1 dB, P1dB=17,7 dBm, OIP3=31 dBm@900 MHz, Vd=6 V, Id=60 mA AG403-89.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 0 Hz -6 ГГц
Код товара: 41556
4 500.00 грн.
ИМС RF Amplifier, LNA, 6 to 11 GHz, 20 dB, 16.5 dBm, QFN, 3 x 3 mm..
Код товара: 41505
6 075.00 грн.
ИМС НВЧ QFN-20 (3x4mm) 5-18 GHz Analog Phase Shifter..
Код товара: 32647
4 725.00 грн.
ИМС RF Amplifier, Driver, 6 to 14 GHz, 18 dB, 19 dBm, QFN, 3 x 3 mm..
Код товара: 25570
225.00 грн.
ИМС ВЧ DC-6 GHz GaAs MMIC Amplifier, Gss=15,5 dB, P1dB=12 dBm @ 2GHz, Vd=3,6...4,2 V, Nf=4,1 dB @ 3 GHz NLB-400..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC-6ГГц
Заканчивается
Код товара: 28243
1 440.00 грн.
ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier RFPA2545.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 400-2700МГц
Код товара: 27882
90.00 грн.
ИМС ВЧ SOT-363 DC-5000 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier QPA0363A Data Sheet.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC - 5000 МГц