Код товара: 41592
8 100.00 грн.
ИМС QFN-24 (4x4mm) 15 to 19 GHz 6-Bit Digital Phase Shifter..
Код товара: 25854
4 725.00 грн.
ИМС СВЧ QFN-23 (4x4x1,42mm) 0.5 to 12 GHz High Power SPDT Reflective Switch TGS2352-2-SM Data Sheet.pdf..
Код товара: 38208
0.00 грн.
Chip High Power Ka-Band (27-46 GHz) VPIN SPDT Switch TGS4302 Data Sheet.pdf..
Код товара: 19362
4 725.00 грн.
Chip High Power Ka-Band (32-40 GHz) Absorptive SPDT Switch TGS4304 Data Sheet.pdf..
Код товара: 27770
1 170.00 грн.
ИМС DFN-10 (3x3mm) 50-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity LNA with Bypass TQL9042.pdf..
Код товара: 37955
0.00 грн.
ВЧ-Усилитель 50 MHz to 1.5 GHz NF .62dB Gain 18.4dB..
Код товара: 28178
405.00 грн.
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA TQL9093.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 600 МГц - 4.2 ГГц
Код товара: 18410
272.30 грн.
ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,9 dB, G=20 dB @ 1,9 GHz TQP3M9008.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 50 МГц - 4 ГГц
Код товара: 24127
630.00 грн.
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA TQP7M9103 Data Sheet.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 400-4000МГц
Код товара: 41484
202 500.00 грн.
РЧ Усилитель 8-11 ГГц 100 Вт 26dB 50 dBm GaN..
Код товара: 45924
0.00 грн.
ИМС СВЧ QFN-20 (4X4mm) 21,2-23,6 GHz MMIC Power Amplifier, G=22 dB, P1dB=32 dBm..
Код товара: 30449
85 725.00 грн.
ИМС 2 to 6 GHz 30W GaN Power Amplifier TGA2578-CP.pdf..
Код товара: 47165
31 050.00 грн.
Плата разработчика для микросхем синтезатора RFFC5071A..
Код товара: 44956
0.00 грн.
DC–1,7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor in NI-780 Package..
Код товара: 45011
74 250.00 грн.
DC–1,7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor in NI-780 Package..
Код товара: 44904
130 500.00 грн.
RF Transistor, 960 to 1215 MHz, 22.5 dB, 65 V, 1800 W, GaN, 4-Lead NI-1230 Pkg ( Eared)..
Код товара: 22762
3 150.00 грн.
DC-18 GHz 12 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-02.pdf..
Выходная мощность: 12 Вт
Тип транзистора: HEMT
Частотный диапазон: 18 ГГц
Код товара: 16949
0.00 грн.
DC-18 GHz 50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-10.pdf..
Код товара: 36880
11 700.00 грн.
DC-14 GHz 100 W, 32 V, DC to 14 GHz, Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-20.pdf..
Код товара: 41494
5 850.00 грн.
DC-25 GHz 7 Watt GaN RF Transistor, 28 V, Gain=15 dB, Nf=1,3 dB..
Код товара: 32638
0.00 грн.
DC-12 GHz 12 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2953.pdf..
Код товара: 47094
15 750.00 грн.
ІМС НВЧ SMT RF Amplifier, Driver, 6 to 18 GHz, 14 dB, 29 dBm..
Код товара: 45409
13 500.00 грн.
Amplifier, Power, GaN, 8.0 to 12.0 GHz, 2 dB, 38 dBm, QFN, 5 x 5 mm..