Код товара: 11485
1 980.00 грн.
ГУН 2200...2300 МГц, Us=5 V, Is=13 мА, Utun=1...6 V..
Код товара: 6856
360.50 грн.
DC - 8GHz, Cascadable InGaP/GaAs HBT MMIC Amplifier sbw5089z_product_data_sheet.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC-8 ГГц
Код товара: 10317
56.30 грн.
DC-5000 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block 2.5V SGA-0363Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC - 5 ГГц
Код товара: 16654
84.10 грн.
DC-5GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=14 dB, P1dB=7,0 dBm, Nf=3,5 dB)@1950 MHz, Vd=2,2 V, Id=20 mA SGA-2286Z.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC - 5 ГГц
Код товара: 15084
139.50 грн.
DC-5GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=13 dB, P1dB=11,3 dBm, Nf=3,8 dB)@1950 MHz, Vd=2,6 V, Id=35 mA sga3286z_product_data_sheet.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC - 5 ГГц
Код товара: 11097
785.30 грн.
ИМС SO8 ВЧ GaAs HBT усилитель мощн. 1700...2200 МГц 1 Вт..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 1700-2200 МГц
Код товара: 13876
625.50 грн.
TSSOP16 70-2500 MHz Direct Quadrature Modulator STQ-2016-3.pdf..
Тип микросхемы: Модулятор
Частотный диапазон: 700-2500 МГц
Код товара: 15501
294.70 грн.
SOT89 GaAs HBT 1/4 W Medium Power Amplifier with active bias 400-2400 MHz SXA389Z Data Sheet.pdf..
Тип корпуса: Through Hole
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 400 МГц - 2.5 ГГц
Код товара: 9456
967.50 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 300-2200 MHZ, 3 W, 19 dB, керамич. корпус 5,08х4,06х2,28 мм SLD-1083CZ.pdf..
Код товара: 11852
45.00 грн.
Транзисторная сборка биполярная SOT363 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe DC-5GHz; Gss=16,1dB, P1dB=7,2 dBm @1,95GHz Lead Free ..
Код товара: 11415
84.60 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=12 dB, Nf=3,7 dB @ 1,95 GHz ..
Код товара: 17218
190.80 грн.
Транзисторная сборка биполярная ВЧ DC-3,5 GHz Gss=16,3 dB P1dB=15 dBm Nf=3,6 dB @ 1,95 GHz P86 SGA5486Z.pdf..
Код товара: 15424
175.50 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm Lead Free SGA-6586Z.pdf..
Код товара: 10403
0.00 грн.
ГУН 900...1100 МГц, Us=5 V, Is=11 мА, Utun=0,7...4,3 V..
Код товара: 13768
2 208.60 грн.
ГУН 1000...1200 МГц, Us=5 V, Is=10 мА, Utun=1...2 V..
Код товара: 14953
0.00 грн.
ГУН 75...150МГц Us=5 В, Is=10 мА, Utun=4,75..5,25 В..
Код товара: 10404
0.00 грн.
ГУН 1567...1642 МГц, Us=5 V, Is=22 мА, Utun=1,0...4,0 V..
Код товара: 10405
0.00 грн.
ГУН 1900...2000 МГц, Us=5 V, Is=11 мА, Utun=1,0...6,0 V..
Код товара: 11765
0.00 грн.
ГУН 340...400 МГц, Us=5 V, Is=10 мА, Utun=0,5...4,5 V..
Код товара: 15599
1 860.70 грн.
ГУН 400...500 МГц, Us=5 V, Is=10 мА, Utun=1,0...9,0 V RoHS Compliant..
Код товара: 11764
0.00 грн.
ГУН 760...786 МГц, Us=5 V, Is=12 мА, Utun=1...4,0 V RoHS compliant..
Код товара: 10402
0.00 грн.
ГУН 832...858 МГц, Us=5 V, Is=12 мА, Utun=1,0...4,0 V..