Код товара: 16655
144.00 грн.
DC-5GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=15,3 dB, P1dB=10,7 dBm, Nf=3,5 dB)@1950 MHz, Vd=2,6 V, Id=35 mA SGA-3386Z.pdf..
Код товара: 11960
139.50 грн.
DC-5GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18 dB, P1dB=12,5 dBm, Nf=3,2 dB)@1950 MHz, Vd=2,9V, Id=35 mA sga3486z_data_sheet.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC - 5 ГГц
Код товара: 17629
101.30 грн.
DC-5000 Ghz, Cascadable SiGe HBT MMIC Amplifier Gss=9,7 dB, P1dB=12,1 dBm, Nf=5,0 dB @ 1950 MHz, Vd=3,2 V, Id=45 mA SGA4163Z.pdf..
Тип корпуса: SMD/SMT
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: DC - 5 ГГц
Код товара: 10540
52.20 грн.
ИМС SOT-363 СВЧ малош. усилитель 5-2000 MHz SGL-0363Z.pdf..
Код товара: 11036
56.30 грн.
ИМС QFN 2x2 mm СВЧ малош. усилитель 100-4000 MHz S21=28,5 dB, Nf=1,5 dB, P1dB=5,3 dBm @ 1,575 MHz, Is=9 mA @ Us=3,3 V sgl0622z_product_data_sheet.pdf..
Тип микросхемы: Усилитель
Частотный диапазон: 5МГц-4000МГц
Код товара: 8772
387.00 грн.
DC-6000 MHz GaAs HBT P1dB=17,7dBm OIP3=32,1dBm Gain=11,2dB NF=7,3dB Vd=5,3V Id=65mA SNA-686.pdf..
Код товара: 14169
963.90 грн.
ИМС SOF-26 ВЧ InGaP HBT усилитель класса А 0,7 - 2,2 GHz 2 W SPA-1526Z.pdf..
Код товара: 8872
785.30 грн.
ИМС SO8 ВЧ GaAs HBT усилитель мощн. 810...960 МГц 1 Вт..
Код товара: 9223
672.30 грн.
ИМС SO-8 ВЧ 400-2500 МГц усилитель мощн. 1 Вт, RoHS Compliant SPB-3018Z.pdf..
Код товара: 15071
459.00 грн.
SOT89 400-2500 MHz 1/2 W Medium Power InGaP/GaAs HBT Amplifier with Active Bias, P1dB=27,5 dBm, Gss=15 dB, OIP3=44,5 dBm, Nf=3,3 dB @ 1960 MHz SXB-4089Z.pdf..
Код товара: 6075
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ DC-12GHz, 0,5 Watt AIGaAs/GaAs HFET, корпус SM plastic Vd=8V, Id=100mA, P-1dB=27dBm, IP3=40dBm, Nf=3.1dB SHF-0186.pdf..
Код товара: 3939
585.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 200 mA): P-1dB=30.0 dBm, G-1dB=14.6 dB, IP3=43.0 dBm, Nf=4.0 dB; Idss=408..768 mA; PAE= SHF-0289Z.pdf..
Напряжение: 7В
Выходная мощность: 30.0 дБм
Тип транзистора: PHEMT
Усиление: 14.6 дБ
Частотный диапазон: 0.05-6ГГц
Код товара: 76 40
985.10 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 345 mA): P-1dB=33.4 dBm, G-1dB=11.5 dB, IP3=46.5 dBm, Nf=3.7 dB; Idss=816..1536 mA; PAE= SHF-0589.pdf..
Код товара: 10986
2 007.00 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 2700 MHZ, 10 W, 18 dB, керамич. корпус 5,08х4,06х2,28 мм SLD-2083CZ.pdf..
Код товара: 10987
2 669.40 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 10-1600 MHZ, 30 W, 18 dB, керамич. корпус SLD-3091FZ.pdf..
Код товара: 9825
951.80 грн.
Траз. пол. СВЧ (GaAs) 0,1-12 Ghz Gmax=22 dB P1dB=20 dBm Nf=0,4 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA P86 SPF-2086TZ.pdf..
Код товара: 8655
97.00 грн.
Траз. Пол. ВЧ (GaAs) DC-10 Ghz Gmax=19,9 dB P1dB=17,7 dBm Nf=0,58 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA SOT343 SPF-3143.pdf..
Код товара: 13261
79.20 грн.
Транзисторная сборка биполярная SOT363 DC-5 GHz Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe Gss=9,8 dB, P1dB=6,2 dBmLead Free ..
Код товара: 17423
81.00 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 DC-5 GHz Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe Gss=9,3 dB, P1dB=6,7 dBm Lead Free ..
Код товара: 17424
81.00 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 DC-5 GHz Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe Gss=16,7 dB, P1dB=7,5 dBm Lead Free ..
Код товара: 79 5
61.30 грн.
Транзисторная сборка биполярная SOT363 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe f=2GHz; 11dBm SGA-3463.pdf..
Код товара: 15287
157.50 грн.
Транзисторная сборка биполярная P86 SiGe cascadeable gain block DC-5GHz; P1dB=13,5 dBm, S21=19,7 dB@1,95GHz Lead Free SGA-3586Z.pdf..