Код товара: 3939
585.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 200 mA): P-1dB=30.0 dBm, G-1dB=14.6 dB, IP3=43.0 dBm, Nf=4.0 dB; Idss=408..768 mA; PAE= SHF-0289Z.pdf..
Напряжение: 7В
Выходная мощность: 30.0 дБм
Тип транзистора: PHEMT
Усиление: 14.6 дБ
Частотный диапазон: 0.05-6ГГц
Код товара: 76 40
985.10 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 345 mA): P-1dB=33.4 dBm, G-1dB=11.5 dB, IP3=46.5 dBm, Nf=3.7 dB; Idss=816..1536 mA; PAE= SHF-0589.pdf..
Код товара: 10986
2 007.00 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 2700 MHZ, 10 W, 18 dB, керамич. корпус 5,08х4,06х2,28 мм SLD-2083CZ.pdf..
Код товара: 10987
2 669.40 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 10-1600 MHZ, 30 W, 18 dB, керамич. корпус SLD-3091FZ.pdf..
Код товара: 9825
951.80 грн.
Траз. пол. СВЧ (GaAs) 0,1-12 Ghz Gmax=22 dB P1dB=20 dBm Nf=0,4 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA P86 SPF-2086TZ.pdf..
Код товара: 8655
97.00 грн.
Траз. Пол. ВЧ (GaAs) DC-10 Ghz Gmax=19,9 dB P1dB=17,7 dBm Nf=0,58 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA SOT343 SPF-3143.pdf..
Код товара: 21868
11 475.00 грн.
DC-6 GHz 30 Watt 28 V GaN RF Power Transistor T2G6003028-FS.pdf..
Код товара: 18291
598.50 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs FETs; 12GHz; low noise, Medium Power TC1301.pdf..
Код товара: 21645
227.70 грн.
Транз. пол. СВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281P0811.pdf..
Код товара: 10897
477.00 грн.
Транз. пол. СВЧ GaAs Ga=9 dB, P1dB=24 dBm, Nf=0,9 dB @ 12 GHz TC2381.pdf..
Выходная мощность: 24 дБм
Усиление: 9 дБ
Шум (dBtyp@f): 0.9 дБ @ 12 ГГц
Код товара: 19960
587.30 грн.
Транз. пол. СВЧ Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FET Ga=8 dB, P1dB=24 dBm, Nf=1 dB @ 12 GHz TC3938.pdf..
Выходная мощность: 24 дБм
Тип транзистора: PHEMT
Усиление: 8 дБ
Шум (dBtyp@f): 1 дБ @ 12 ГГц
Код товара: 19388
1 633.50 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>31 dBm, Gp=13 dB, OIP3=39 dBm TGF2022-12.pdf..
Код товара: 19389
2 025.00 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>34 dBm, Gp=13 dB, OIP3=42 dBm TGF2022-24.pdf..
Код товара: 19387
0.00 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>37 dBm, Gp=13 dB, OIP3=45 dBm TGF2022-48.pdf..
Код товара: 20795
1 903.50 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>38 dBm, Gp=12 dB, PAE=57% TGF2022-60.pdf..
Код товара: 17464
2 829.20 грн.
DC-18 GHz 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-01.pdf..
Код товара: 17465
3 525.30 грн.
DC-18 GHz 12 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-02.pdf..
Код товара: 16737
0.00 грн.
DC-18 GHz 25 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-05.pdf..
Код товара: 22761
2 700.00 грн.
DC-18 GHz 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-01.pdf..
Код товара: 22762
3 150.00 грн.
DC-18 GHz 12 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-02.pdf..
Выходная мощность: 12 Вт
Тип транзистора: HEMT
Частотный диапазон: 18 ГГц
Код товара: 16949
0.00 грн.
DC-18 GHz 50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-10.pdf..
Код товара: 36880
11 700.00 грн.
DC-14 GHz 100 W, 32 V, DC to 14 GHz, Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-20.pdf..
Код товара: 16950
0.00 грн.
DC-18 GHz 100 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-20.pdf..
Код товара: 41494
5 850.00 грн.
DC-25 GHz 7 Watt GaN RF Transistor, 28 V, Gain=15 dB, Nf=1,3 dB..
