Код товара: 19432
22 050.00 грн.
Lateral N-channel RF Power MOSFET 250 W, 1300 MHz, 50 V MRF6V13250HR5.pdf..
Код товара: 19431
35 100.00 грн.
Lateral N-channel RF Power MOSFET 330 W, 1200-1400 MHz, 50 V MRF6V14300HR5.pdf..
Код товара: 13741
1 287.00 грн.
RF Power FET 10 W, 10-450 MHz MRF6V2010NR1.pdf..
Напряжение: 110 В
Выходная мощность: 10 Вт
Тип транзистора: LDMOS
Усиление: 23.9дБ
Частотный диапазон: 220МГц
Код товара: 24609
6 075.00 грн.
Lateral N-channel RF Power MOSFET 300 W, 10-600 MHz, 50 Vdc MRF6V2300NBR1.pdf..
Код товара: 13684
4 194.00 грн.
RF Power FET 300 W, 10-450 MHz MRF6V2300NR1.pdf..
Код товара: 19218
4 194.00 грн.
RF Power FET N--Channel 450 W, 470-860 MHz MRF6VP3450HR6.pdf..
Код товара: 13883
0.00 грн.
IC MOSFET RF N-CHAN NI-1230 MRF9180R6.pdf..
Код товара: 24158
6 075.00 грн.
RF POWER LDMOS 100W 1.8--2000 MHz MRFE6VP100HR5.pdf..
Код товара: 30367
0.00 грн.
РЧ МОП-транзистор Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V MRFE6VP5600HR5.pdf..
Код товара: 24157
1 890.00 грн.
RF POWER LDMOS 25 W, 1.8--2000 MHz MRFG35003N6AT1.pdf..
Код товара: 24736
1 080.00 грн.
Транзистор полевой ВЧ 3,5 GHz, 3W, 6V MRFG35003N6AT1 MRFG35003N6AT1.pdf..
Код товара: 10985
3 673.80 грн.
СВЧ модуль 1600-2400 MHz, 20 W, 26 V MW4IC2020NBR1.pdf..
Код товара: 19219
5 241.60 грн.
RF Power FET N--Channel 10 W, 450-1500 MHz MW6S010GNR1.pdf..
Код товара: 27382
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 7,7-8,5 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=120 W, PAE: 37% (typ.)..
Код товара: 31766
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 9-10 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=50 W, PAE: 36% (typ.)..
Код товара: 31765
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 9-10 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=100 W, PAE: 37% (typ.)..
Код товара: 29078
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 6,4-7,2 GHz Internally Matched GaN-HEMT, Gp=9 dB, Psat=80 W, PAE: 50% (typ.)..
Код товара: 27988
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 6,4-7,2 GHz Internally Matched GaN-HEMT, Gp=9 dB, Psat=150 W, PAE: 48% (typ.)..
Код товара: 29227
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 9,5-10,5 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=8 dB, Pout=100 W, PAE: 35% (typ.)..
Код товара: 38041
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 8,5-9,6 GHz GaN-HEMT, G=20 dB, Pout=25 W, PAE: 35% (typ.) NDNM02128.pdf..
Код товара: 13715
243.00 грн.
Транз. пол. СВЧ C-band Super Low Noise HJFET, Nf=0,25 dB, G=16 dB @ 4 GHz, Vds=2 V, Id=15 mA, Idss=80 mA NE334S01.pdf..
Код товара: 22533
105.30 грн.
Транз. Пол. СВЧ SOT-343F L to S Band Low Noise N-Channel HJ-FET, Nf=0,35 dB, Ga=19 dB @ 2 GHz NE3510M04-A.pdf..
Код товара: 18078
0.00 грн.
RF Power LDMOS MOSFET PowerSO-10, 12,5V, 2,5A, 17dB, 3W PD55003-E.pdf..
Код товара: 15897
0.00 грн.
Транз. пол. мощн. ВЧ SO10RF N-Channel Pout=8 W, 500 MHz, 17 dB, 12.5 V PD55008-E.pdf..
