Код товара: 27382
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 7,7-8,5 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=120 W, PAE: 37% (typ.)..
Код товара: 31766
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 9-10 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=50 W, PAE: 36% (typ.)..
Код товара: 31765
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 9-10 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=7 dB, Pout=100 W, PAE: 37% (typ.)..
Код товара: 29078
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 6,4-7,2 GHz Internally Matched GaN-HEMT, Gp=9 dB, Psat=80 W, PAE: 50% (typ.)..
Код товара: 27988
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 6,4-7,2 GHz Internally Matched GaN-HEMT, Gp=9 dB, Psat=150 W, PAE: 48% (typ.)..
Код товара: 29227
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 9,5-10,5 GHz Internally Matched GaN-HEMT, G=8 dB, Pout=100 W, PAE: 35% (typ.)..
Код товара: 38041
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ 8,5-9,6 GHz GaN-HEMT, G=20 dB, Pout=25 W, PAE: 35% (typ.) NDNM02128.pdf..
Код товара: 13715
243.00 грн.
Транз. пол. СВЧ C-band Super Low Noise HJFET, Nf=0,25 dB, G=16 dB @ 4 GHz, Vds=2 V, Id=15 mA, Idss=80 mA NE334S01.pdf..
Код товара: 22533
105.30 грн.
Транз. Пол. СВЧ SOT-343F L to S Band Low Noise N-Channel HJ-FET, Nf=0,35 dB, Ga=19 dB @ 2 GHz NE3510M04-A.pdf..
Код товара: 19898
207.90 грн.
Транз. пол. мощн. ВЧ SOT-89 N-Channel NEWMOS, 32.5 dB, 1.9 GHz, 3.0-6.0 V, 400 mA NE5500234.pdf..
Напряжение: 3В ~ 5В
Тип транзистора: N-ChАnnel
ток: 0.4 А
Усиление: 32.5 дБ
Частотный диапазон: 1.9 ГГц
Код товара: 18078
0.00 грн.
RF Power LDMOS MOSFET PowerSO-10, 12,5V, 2,5A, 17dB, 3W PD55003-E.pdf..
Код товара: 15897
0.00 грн.
Транз. пол. мощн. ВЧ SO10RF N-Channel Pout=8 W, 500 MHz, 17 dB, 12.5 V PD55008-E.pdf..
Код товара: 18309
0.00 грн.
Транз. пол. мощн. ВЧ SO10RF N-Channel Pout=25 W, 500 MHz, 14,5 dB, 12 V, Fmax=1 GHz PD55025-E.pdf..
Код товара: 13881
0.00 грн.
N-channel RF Power transistor, Pout=2 W, Gain=15 dB @ 960 MHz / 28 V PD57002-E.pdf..
Код товара: 30188
2 462.40 грн.
N-channel RF Power transistor, Pout=18 W, Gain=16,5 dB @ 945 MHz / 28 V PowerSO-10RF-Formed-4 PD57018-E.pdf..
Код товара: 13882
1 503.00 грн.
N-channel RF Power transistor, Pout=18 W, Gain=16,5 dB @ 945 MHz / 28 V PD57018S-E.pdf..
Напряжение: 65В
Выходная мощность: 18 Вт
Тип транзистора: LDMOS
ток: 2.5 А
Усиление: 16.5дБ
Код товара: 10759
2 475.00 грн.
RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz PD57030-E.pdf..
Код товара: 10806
2 335.50 грн.
RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz PD57030S-E.pdf..
Код товара: 8132
112.20 грн.
REFLECTIVE 50 Ohm SPDT, 4.0 GHz, +15 dBm P1dB PE4235-01.pdf..
Код товара: 10508
1 062.00 грн.
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W, 450-960 MHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF080101M.pdf..
Код товара: 10984
3 197.70 грн.
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm PTF180301E.pdf..
Код товара: 17414
4 825.30 грн.
High Power RF LDMOS Thermally-Enhanced FET 45W, 2420-2480 MHz (CDMA2000 & WiMAX) PTFA240451E.pdf..
Код товара: 32630
720.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ High Power RF LDMOS Field Effect Transistor5 W, 28 V, 900 – 2700 MHz PTFC270051M-V2.pdf..
Код товара: 15617
0.00 грн.
Транзистор RA13H4047-10..
