Код товара: 9545
137.30 грн.
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET SOT89 Udd=12,5V; Id=200mA; f=0,175GHz; Pout=0,8 W; Gp>20dB RD00HVS1.pdf..
Код товара: 19232
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS1-T113.pdf..
Код товара: 19233
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET встр. стабилитрон. SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS2.pdf..
Код товара: 11163
345.30 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W RD02MUS1.pdf..
Код товара: 22925
345.30 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W..
Код товара: 19316
0.00 грн.
Транзистор RD06HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 6W RD06HHF1.pdf..
Код товара: 15370
405.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf..
Код товара: 9550
450.00 грн.
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz..
Напряжение: 12.5В
Выходная мощность: 18 Вт
ток: 4А
Частотный диапазон: 0.175...0.52ГГц
Код товара: 24476
317.30 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf..
Код товара: 14845
2 702.40 грн.
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf..
Код товара: 26253
4 041.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ C-Band Internally Matched GaN-HEMT, 7,7-8,5 GHz, Gl=12 dB, P5dB=50 dBm SGK7785-100A.pdf..
Код товара: 6075
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ DC-12GHz, 0,5 Watt AIGaAs/GaAs HFET, корпус SM plastic Vd=8V, Id=100mA, P-1dB=27dBm, IP3=40dBm, Nf=3.1dB SHF-0186.pdf..
Код товара: 3939
585.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 200 mA): P-1dB=30.0 dBm, G-1dB=14.6 dB, IP3=43.0 dBm, Nf=4.0 dB; Idss=408..768 mA; PAE= SHF-0289Z.pdf..
Напряжение: 7В
Выходная мощность: 30.0 дБм
Тип транзистора: PHEMT
Усиление: 14.6 дБ
Частотный диапазон: 0.05-6ГГц
Код товара: 76 40
985.10 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 345 mA): P-1dB=33.4 dBm, G-1dB=11.5 dB, IP3=46.5 dBm, Nf=3.7 dB; Idss=816..1536 mA; PAE= SHF-0589.pdf..
Код товара: 10986
2 007.00 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 2700 MHZ, 10 W, 18 dB, керамич. корпус 5,08х4,06х2,28 мм SLD-2083CZ.pdf..
Код товара: 10987
2 669.40 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 10-1600 MHZ, 30 W, 18 dB, керамич. корпус SLD-3091FZ.pdf..
Код товара: 9825
951.80 грн.
Траз. пол. СВЧ (GaAs) 0,1-12 Ghz Gmax=22 dB P1dB=20 dBm Nf=0,4 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA P86 SPF-2086TZ.pdf..
Код товара: 8655
97.00 грн.
Траз. Пол. ВЧ (GaAs) DC-10 Ghz Gmax=19,9 dB P1dB=17,7 dBm Nf=0,58 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA SOT343 SPF-3143.pdf..
Код товара: 21868
11 475.00 грн.
DC-6 GHz 30 Watt 28 V GaN RF Power Transistor T2G6003028-FS.pdf..
Код товара: 18291
598.50 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs FETs; 12GHz; low noise, Medium Power TC1301.pdf..
Код товара: 21645
227.70 грн.
Транз. пол. СВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281P0811.pdf..
Код товара: 10897
477.00 грн.
Транз. пол. СВЧ GaAs Ga=9 dB, P1dB=24 dBm, Nf=0,9 dB @ 12 GHz TC2381.pdf..
Выходная мощность: 24 дБм
Усиление: 9 дБ
Шум (dBtyp@f): 0.9 дБ @ 12 ГГц
Код товара: 19960
587.30 грн.
Транз. пол. СВЧ Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FET Ga=8 dB, P1dB=24 dBm, Nf=1 dB @ 12 GHz TC3938.pdf..
Выходная мощность: 24 дБм
Тип транзистора: PHEMT
Усиление: 8 дБ
Шум (dBtyp@f): 1 дБ @ 12 ГГц
Код товара: 19388
1 633.50 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>31 dBm, Gp=13 dB, OIP3=39 dBm TGF2022-12.pdf..
