Код товара: 10806
2 335.50 грн.
RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz PD57030S-E.pdf..
Код товара: 8132
112.20 грн.
REFLECTIVE 50 Ohm SPDT, 4.0 GHz, +15 dBm P1dB PE4235-01.pdf..
Код товара: 10508
1 062.00 грн.
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W, 450-960 MHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF080101M.pdf..
Код товара: 10984
3 197.70 грн.
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 30 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.27 Ohm PTF180301E.pdf..
Код товара: 17414
4 825.30 грн.
High Power RF LDMOS Thermally-Enhanced FET 45W, 2420-2480 MHz (CDMA2000 & WiMAX) PTFA240451E.pdf..
Код товара: 32630
720.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ High Power RF LDMOS Field Effect Transistor5 W, 28 V, 900 – 2700 MHz PTFC270051M-V2.pdf..
Код товара: 15617
0.00 грн.
Транзистор RA13H4047-10..
Код товара: 9545
137.30 грн.
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET SOT89 Udd=12,5V; Id=200mA; f=0,175GHz; Pout=0,8 W; Gp>20dB RD00HVS1.pdf..
Код товара: 19232
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS1-T113.pdf..
Код товара: 19233
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET встр. стабилитрон. SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS2.pdf..
Код товара: 11163
345.30 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W RD02MUS1.pdf..
Код товара: 22925
345.30 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W..
Код товара: 19316
0.00 грн.
Транзистор RD06HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 6W RD06HHF1.pdf..
Код товара: 15370
405.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf..
Код товара: 9550
450.00 грн.
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz..
Напряжение: 12.5В
Выходная мощность: 18 Вт
ток: 4А
Частотный диапазон: 0.175...0.52ГГц
Код товара: 24476
317.30 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf..
Код товара: 14845
2 702.40 грн.
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf..
Код товара: 26253
4 041.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ C-Band Internally Matched GaN-HEMT, 7,7-8,5 GHz, Gl=12 dB, P5dB=50 dBm SGK7785-100A.pdf..
Код товара: 6075
0.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ DC-12GHz, 0,5 Watt AIGaAs/GaAs HFET, корпус SM plastic Vd=8V, Id=100mA, P-1dB=27dBm, IP3=40dBm, Nf=3.1dB SHF-0186.pdf..
Код товара: 3939
585.00 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 200 mA): P-1dB=30.0 dBm, G-1dB=14.6 dB, IP3=43.0 dBm, Nf=4.0 dB; Idss=408..768 mA; PAE= SHF-0289Z.pdf..
Напряжение: 7В
Выходная мощность: 30.0 дБм
Тип транзистора: PHEMT
Усиление: 14.6 дБ
Частотный диапазон: 0.05-6ГГц
Код товара: 76 40
985.10 грн.
Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 345 mA): P-1dB=33.4 dBm, G-1dB=11.5 dB, IP3=46.5 dBm, Nf=3.7 dB; Idss=816..1536 mA; PAE= SHF-0589.pdf..
Код товара: 10986
2 007.00 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 2700 MHZ, 10 W, 18 dB, керамич. корпус 5,08х4,06х2,28 мм SLD-2083CZ.pdf..
Код товара: 10987
2 669.40 грн.
СВЧ LDMOS тразистор 10-1600 MHZ, 30 W, 18 dB, керамич. корпус SLD-3091FZ.pdf..
Код товара: 9825
951.80 грн.
Траз. пол. СВЧ (GaAs) 0,1-12 Ghz Gmax=22 dB P1dB=20 dBm Nf=0,4 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA P86 SPF-2086TZ.pdf..
