Код товару: 6075
0.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ DC-12GHz, 0,5 Watt AIGaAs/GaAs HFET, корпус SM plastic Vd=8V, Id=100mA, P-1dB=27dBm, IP3=40dBm, Nf=3.1dB SHF-0186.pdf..
Код товару: 3939
585.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 200 mA): P-1dB=30.0 dBm, G-1dB=14.6 dB, IP3=43.0 dBm, Nf=4.0 dB; Idss=408..768 mA; PAE= SHF-0289Z.pdf..
Напруга: 7В
Вихідна потужність: 30.0 дБм
Посилення: 14.6 дБ
Тип транзистора: PHEMT
Частотний діапазон: 0.05-6ГГц
Код товару: 76 40
985.10 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; 0.05-6GHz; SOT89; @(1.96 GHz, 7V, 345 mA): P-1dB=33.4 dBm, G-1dB=11.5 dB, IP3=46.5 dBm, Nf=3.7 dB; Idss=816..1536 mA; PAE= SHF-0589.pdf..
Код товару: 10986
2 007.00 грн.
НВЧ LDMOS тразистор 2700 MHZ, 10 W, 18 dB, кераміч. корпус 5,08х4,06х2,28 мм SLD-2083CZ.pdf..
Код товару: 10987
2 669.40 грн.
НВЧ LDMOS тразистор 10-1600 MHZ, 30 W, 18 dB, кераміч. корпус SLD-3091FZ.pdf..
Код товару: 9825
951.80 грн.
Траз. пол. НВЧ (GaAs) 0,1-12 Ghz Gmax=22 dB P1dB=20 dBm Nf=0,4 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA P86 SPF-2086TZ.pdf..
Код товару: 8655
97.00 грн.
Траз. Пол. ВЧ (GaAs) DC-10 Ghz Gmax=19,9 dB P1dB=17,7 dBm Nf=0,58 dB @ 1,9 GHz Vdc=5 V I=40 mA SOT343 SPF-3143.pdf..
Код товару: 21868
11 475.00 грн.
DC-6 GHz 30 Watt 28 V GaN RF Power Transistor T2G6003028-FS.pdf..
Код товару: 18291
598.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs FETs; 12GHz; low noise, Medium Power TC1301.pdf..
Код товару: 21645
227.70 грн.
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281P0811.pdf..
Код товару: 10897
477.00 грн.
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=9 dB, P1dB=24 dBm, Nf=0,9 dB @ 12 GHz TC2381.pdf..
Вихідна потужність: 24 дБм
Посилення: 9 дБ
Шум (dBtyp@f): 0.9 дБ @ 12 ГГц
Код товару: 19960
587.30 грн.
Транз. пол. НВЧ Single-Bias Medium Power PHEMT GaAs FET Ga=8 dB, P1dB=24 dBm, Nf=1 dB @ 12 GHz TC3938.pdf..
Вихідна потужність: 24 дБм
Посилення: 8 дБ
Тип транзистора: PHEMT
Шум (dBtyp@f): 1 дБ @ 12 ГГц
Код товару: 19388
1 633.50 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>31 dBm, Gp=13 dB, OIP3=39 dBm TGF2022-12.pdf..
Код товару: 19389
2 025.00 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>34 dBm, Gp=13 dB, OIP3=42 dBm TGF2022-24.pdf..
Код товару: 19387
0.00 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>37 dBm, Gp=13 dB, OIP3=45 dBm TGF2022-48.pdf..
Код товару: 20795
1 903.50 грн.
DC-20 GHz Discrete Power pHEMT, Psat>38 dBm, Gp=12 dB, PAE=57% TGF2022-60.pdf..
Код товару: 17464
2 829.20 грн.
DC-18 GHz 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-01.pdf..
Код товару: 17465
3 525.30 грн.
DC-18 GHz 12 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-02.pdf..
Код товару: 16737
0.00 грн.
DC-18 GHz 25 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-05.pdf..
Код товару: 22761
2 700.00 грн.
DC-18 GHz 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-01.pdf..
Код товару: 22762
3 150.00 грн.
DC-18 GHz 12 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-02.pdf..
Вихідна потужність: 12 Вт
Тип транзистора: HEMT
Частотний діапазон: 18 ГГц
Код товару: 16949
0.00 грн.
DC-18 GHz 50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-10.pdf..
Код товару: 36880
11 700.00 грн.
DC-14 GHz 100 W, 32 V, DC to 14 GHz, Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-20.pdf..
Код товару: 16950
0.00 грн.
DC-18 GHz 100 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-20.pdf..
