Закінчується
Код товару: 19959
461.30 грн.
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2282.pdf..
Код товару: 18800
877.50 грн.
Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=15 dB, IP3=37 dBm, PAE=40% @ 6 GHz TC2471.pdf..
Вихідна потужність: 0.5 Вт
Посилення: 15 дБ
Тип транзистора: PHEMT
Код товару: 18801
407.30 грн.
Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=11 dB, IP3=37 dBm, PAE=37% @ 6 GHz TC2481.pdf..
Вихідна потужність: 0.5 Вт
Посилення: 11 дБ
Тип транзистора: PHEMT
Код товару: 46332
18 000.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT502B LDMOS L-band radar power transistor 1,2-1,4 GHz 600 W 19 dB PAE60% Vs=32 V Idsx=87 A..
Код товару: 46333
1 350.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1483-1 0,01-1,5 GHz, 30 W, 19,3 dB, Vds=32 V, Idsx=6,2 A, PAE=72%, LDMOS..
Код товару: 42925
39.60 грн.
P-Channel 30 V 24A (Tc) 4.1W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)..
Код товару: 30433
0.00 грн.
Тестова плата для оцінки транзистора CGH40010F CGH40010F-TB.pdf..
Код товару: 45535
1 192.50 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1482-1 0,4-2,7 GHz, 20 W, 19 dB, Vs=28 V, Id=0,18 A, LDMOS..
Код товару: 42808
24 750.00 грн.
RF Power GaN Transistor, Wideband 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V..
Код товару: 43316
2 115.00 грн.
Транзистор RF MOSFET 10 Вт 0,45-1,5 ГГц TO-270-2..
Код товару: 43023
0.00 грн.
RF Power Transistor DC-18 GHz 6 Watt 100 V Gain 16 dB GaN HEMT..
Код товару: 42681
0.00 грн.
RF Power Transistor 7,9-9,6 GHz 50 Watt, Input/Output Matched GaN HEMT..
Код товару: 42680
0.00 грн.
RF Power Transistor 8,4-9,6 GHz 130 Watt, Input/Output Matched GaN HEMT..
Код товару: 46862
0.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT502A LDMOS L-band radar power transistor 1,2-1,4 GHz 600 W 19 dB PAE60% Vs=32 V Idsx=87 A..
Код товару: 41463
66.60 грн.
Транз. Пол. СВЧ Flat-lead 4-pin thin-type super minimold package 12 GHz Super Low Noise FET, Nf=0,35 dB, Vds=4 V, Id=10 mA..
Код товару: 43399
0.00 грн.
9.0-10.0 GHz GaN Internally-matched Power Transistor, Gp=9 dB, Psat=55 dBm, PAE=40 %, Vds=+48 V, Vgs=-5 V..
Код товару: 44956
0.00 грн.
DC–1,7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor in NI-780 Package..
Код товару: 45011
74 250.00 грн.
DC–1,7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor in NI-780 Package..
Код товару: 44905
45 000.00 грн.
RF Power Transistor, 0.96 to 1.215 GHz, 1200 W, 19 dB, 50 V, SOT539A, LDMOS..
Код товару: 44913
81 000.00 грн.
RF Mosfet 50 V 83.6 mA 960MHz-1.4GHz 17dB 1400W H-36275-4..
Код товару: 44904
130 500.00 грн.
RF Transistor, 960 to 1215 MHz, 22.5 dB, 65 V, 1800 W, GaN, 4-Lead NI-1230 Pkg ( Eared)..
Код товару: 42339
1 350.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ великої потужності SOT1482-1 0,001-2 GHz, 30 W, 22 dB, Vds=50 V, Idsx=3,9 A, PAE=65%, LDMOS..
Код товару: 8637
4 076.70 грн.
НВЧ малошум. підсилювач 6-20 ГГц, Gss=22dB, Nf=2,5dB, P1dB=10dBm AMMP-6220-BLK.pdf..
Код товару: 19015
4 076.70 грн.
НВЧ малошум. підсилювач 7-21 ГГц, Gss=24dB, Nf=2,3dB AMMP-6222-BLKG.pdf..
