Код товару: 10630
405.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ малошум. SOT89 PHEMT P1dB=27,5 dBm, Gss=17 dB, Nf=1,2 dB, IP3=42dBm, PAE=50% @ 1850 MHz..
Вихідна потужність: 27.5 дБм
Посилення: 17 дБ
Тип транзистора: PHEMT
Шум (dBtyp@f): 1.2 дБ
Закінчується
Код товару: 3934
556.60 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=16.0 dB, IP3=40.0 dBm, Nf=0.7 dB; Idss=180..265 mA; PAE= LP750SOT89-3.pdf..
Напруга: 5 В
Вихідна потужність: 24.0 дБм
Посилення: 16.0 дБ
струм: 180 мА
Тип транзистора: PHEMT
Код товару: 5370
2 462.70 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=16.0 dB, IP3=40.0 dBm, Nf=0.7 dB; Idss=266..400 mA; PAE= LP750SOT89-3.pdf..
Напруга: 5 В
Вихідна потужність: 24.0 дБм
Посилення: 16.0 дБ
струм: 266..400 мА
Тип транзистора: PHEMT
Закінчується
Код товару: 20488
1 710.00 грн.
Транз. пол. НВЧ N-channel GaAs FET L Band 2,5 W MGF0905A.pdf..
Код товару: 14197
1 890.00 грн.
L&S Band GaAs N-channel FET Pout=36,5 dBm, Gp=14,5 dB, PAE=50% @ 1,9 GHz, Vds=10 V, Ids=800 mA MGF0915A-01.pdf..
Напруга: 10 В
Вихідна потужність: 36.5 дБм
Посилення: 14.5 дБ
струм: 800..1100 мА
Тип транзистора: FET
Закінчується
Код товару: 22905
6 750.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs 1,6 W FET P1db=32 dBm (typ.), Glp=6 dB @ 12 GHz mgf2445a.pdf..
Вихідна потужність: 32 дБм
Тип транзистора: FET
Код товару: 18455
157.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD2 super-low noise HEMT Nf=0.35 dB, Gs=13,5 dB@12GHz MGF4941AL-01.pdf..
Тип транзистора: HEMT
Шум (dBtyp@f): 0.35 дБ
Закінчується
Код товару: 32231
6 300.00 грн.
RF MOSFET Line 100W, 400MHz, 28V MRF177.pdf..
Код товару: 41123
11 250.00 грн.
Транз. пол. ВЧ БМ 2,4 to 2,5 GHz 300 W RF power GaN Transistor..
Закінчується
Код товару: 28026
4 410.00 грн.
Транзистор польовий ВЧ БМ TO-272 WB-4 Lateral N-channel RF Power MOSFET 150 W, 10-450 MHz, 50 Vdc MRF6V2150NBR1.pdf..
Напруга: 110 В
Вихідна потужність: 150 Вт
Посилення: 25дБ
Тип транзистора: LDMOS
Частотний діапазон: 220МГц
Код товару: 15962
105.30 грн.
Транз. Пол. НВЧ X to Ku Band Super Low Noise N-Channel FET, Nf=0,35 dB, Ga=13,5 dB @ 12 GHz NE3210S01.pdf..
Напруга: 4 В
Посилення: 13.5дБ
струм: 15мА
Тип транзистора: HFET
Частотний діапазон: 12ГГц
Закінчується
Код товару: 10509
877.50 грн.
Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A Rds=0.83Ohm PTF180101M.pdf..
Напруга: 65В
Вихідна потужність: 10 Вт
Посилення: 16.5дБ
Тип транзистора: LDMOS
Частотний діапазон: 1.99ГГц
Закінчується
Код товару: 10997
1 662.80 грн.
Транз. Пол. БМ ВЧ GOLDMOS 10 W 1805-1880, 1930-1990 MHz Udss=65V Rds=0.83 Ohm PTF180101S.pdf..
Напруга: 65В
Вихідна потужність: 10 Вт
Посилення: 19дБ
Тип транзистора: LDMOS
Частотний діапазон: 1.99ГГц
Код товару: 13675
3 142.40 грн.
High Power LDMOS internally matched FET, for WCDMA 2110-2170 MHz, 30 W PTFA210301E.pdf..
Напруга: 65В
Вихідна потужність: 30 Вт
Посилення: 17дБ
струм: 0.3 А
Тип транзистора: MOSFET
Код товару: 29912
1 170.00 грн.
Транз. Пол. ВЧ N-Channel, PG-SON-10, 0,9-2,7 MHz, 5 W, 19.5 dB, +225 °C, LDMOS FET PTFC270101M-V1-R1K.pdf..
Код товару: 41453
7 425.00 грн.
2.7–3.5 GHz, 50 V, 30 W GaN RF Input-Matched Transistor, DFN-8 package (6x5x1,09mm)..
Код товару: 38512
2 700.00 грн.
DC-12 GHz 10W, 32V, GaN RF Transistor, QFN-16 QPD1022 Data Sheet.pdf..
Код товару: 9544
389.20 грн.
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=3,0A; f=0,175GHz; Pout=8 W; Gp>13dB..
Напруга: 12.5В
Вихідна потужність: 8 Вт
Посилення: 13дБ
струм: 3 А
Частотний діапазон: 0.175ГГц
Код товару: 37703
108.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; 0.45-6GHz; SOT343 (SC-70-4) Gain = 15.5dB, P1dB = +10.5dBm, Nf=0.45 dB @ 2.4 GHz, Vs=3 V, Id=20 mA SKY65050-372LF.pdf..
Код товару: 9456
967.50 грн.
НВЧ LDMOS тразистор 300-2200 MHZ, 3 W, 19 dB, кераміч. корпус 5,08х4,06х2,28 мм SLD-1083CZ.pdf..
Код товару: 10898
348.70 грн.
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=18 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2181.pdf..
Вихідна потужність: 18 дБм
Посилення: 12 дБ
Шум (dBtyp@f): 0.5 дБ @ 12 ГГц
Код товару: 10899
432.00 грн.
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, P1dB=22 dBm, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2281.pdf..
Вихідна потужність: 22 дБм
Посилення: 12 дБ
Шум (dBtyp@f): 0.5 дБ @ 12 ГГц
Закінчується
Код товару: 19959
461.30 грн.
Транз. пол. НВЧ GaAs Ga=12 dB, Nf=0,5 dB @ 12 GHz TC2282.pdf..
Код товару: 18800
877.50 грн.
Транз. пол. НВЧ 0,5 W GaAs PHEMT, G=15 dB, IP3=37 dBm, PAE=40% @ 6 GHz TC2471.pdf..
Вихідна потужність: 0.5 Вт
Посилення: 15 дБ
Тип транзистора: PHEMT
