Код товару: 31076
0.00 грн.
Транз. пол. ВЧ БМ DC to 3,5 GHz 200 W Broadband RF power GaN HEMT CLF1G0035S-200P.pdf..
Код товару: 29604
0.00 грн.
Транз. пол. ВЧ БМ DC to 6,0 GHz 30 W Broadband RF power GaN HEMT CLF1G0060-30.pdf..
Код товару: 23933
1 800.00 грн.
40GHz Super Low Noise PHEMT EC2612-99F-00.pdf..
Код товару: 14397
959.40 грн.
Low Distortion GaAs Power FET, P1dB=23 dBm, G1dB=10,5 dB @ 12 GHz EFA040A.pdf..
Код товару: 14396
1 918.80 грн.
Low Distortion GaAs Power FET, P1dB=31 dBm, G1dB=18,5 dB @ 2 GHz EFC240D.pdf..
Код товару: 16526
42 300.00 грн.
9.50-10.50 Ghz 25 Watt Internally-Matched Power FET EIC0910-25.pdf..
Код товару: 15941
19 800.00 грн.
9.50-10.50 Ghz 8 Watt Internally-Matched Power FET EIC0910-8.pdf..
Код товару: 17579
13 500.00 грн.
8-Watt Internally Matched FET 10,7-11,7 GHz EIC1011-8.pdf..
Код товару: 13634
26 439.80 грн.
5-Watt Internally Matched FET 11,7-12,7 GHz EIC1112-5.pdf..
Код товару: 13633
33 810.80 грн.
8-Watt Internally Matched FET 11,7-12,7 GHz EIC1112-8.pdf..
Код товару: 15850
0.00 грн.
5,30-5,90 GHz, 8 W Internally Matched Power FET EIC5359-8.pdf..
Код товару: 16384
28 350.00 грн.
8,50-9,60 GHz, 15 W Internally Matched Power FET EIC8596-15.pdf..
Код товару: 17480
28 350.00 грн.
16.0-16.5 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET EID1616A1-12.pdf..
Код товару: 8856
495.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=23.5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=70..160 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA040A70.pdf..
Код товару: 10927
603.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=9,0 dB, Idss=110..250 mA; PAE=45%; Nf=0,6 dB @ 12GHz) EPA060B70.pdf..
Код товару: 13354
3 091.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; F100;( P1dB=27,5 dBm, G1dB=8,5 dB, Idss=130..320 mA; PAE=42% @ 12GHz) EPA080A-100F.pdf..
Код товару: 13355
0.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; F100;( P1dB=27,5 dBm, G1dB=8,5 dB, Idss=130..320 mA; PAE=42% @ 12GHz) EPA120B-100P.pdf..
Код товару: 10236
4 045.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=31 dBm, G1dB=11,5 dB, Idss=290...660 mA; PAE=41% @ 12GHz) EPA160A-100P.pdf..
Код товару: 10043
4 041.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=32,5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=440...940 mA; PAE=44% @ 12GHz) EPA240B-100P.pdf..
Код товару: 11865
0.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ Chip P1dB=35,5dBm, G1dB=12,0dB, PAE=45%@12Ghz Idss=880...1880 mA EPA480BV.pdf..
Код товару: 28691
18 000.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs Power FET Internally Matched; 9,5-10,5 GHz; P1dB=39,0 dBm, G1dB=7,5 dB FLM0910-8F.pdf..
Код товару: 20397
4 041.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs Power FET Internally Matched; 8,5-9,6 GHz; P1dB=40,5 dBm, G1dB=7,5 dB FLM8596-12F.pdf..
Код товару: 20398
4 041.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs Power FET Internally Matched; 8,5-9,6 GHz; P1dB=36 dBm, G1dB=7,5 dB FLM8596-4F.pdf..
Код товару: 20399
4 041.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs Power FET Internally Matched; 8,5-9,6 GHz; P1dB=39 dBm, G1dB=7,5 dB FLM8596-8F.pdf..
