Код товару: 10757
775.80 грн.
Транз. Пол. НВЧ 2 W HFET 50-4000 MHz QFN FP31QF.pdf..
Код товару: 15679
450.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; DC-20GHz; P70; @(18.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=20 dBm, G-1dB=9,5 dB, P3=34 dBm, Nfmin=0,8 dB; Idss=40..85 mA; PAE=50% FPD3000SOT89E.pdf..
Код товару: 14974
3 835.40 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; P1dB=32,5 dBm, Gain=9,5 dB, IP3=42 dBm,Idss=750..1100 mA; PAE=45% @ 10 GHz FPD3000P100.pdf..
Код товару: 17604
405.00 грн.
Траз. пол. ВЧ малошум. SOT89 PHEMT P1dB=30 dBm, Gss=13 dB, Nf=1,3 dB, IP3=45 dBm, PAE=45% @ 1850 MHz FPD3000SOT89E.pdf..
Код товару: 10769
562.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-20GHz; P70; @(15.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=23.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=35.0 dBm, Nf=1.5 dB; Idss=106..125 mA; PAE=50% FPD6836P70.pdf..
Код товару: 3922
2 799.60 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-16GHz; P100; @(15.0 GHz, 8V, 50%Idss): P-1dB=31.0 dBm, G-1dB=9.0 dB, IP3=42.0 dBm, Nf=; Idss=375..600 mA; PAE=60% LP1500P100.pdf..
Код товару: 3935
575.10 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-6GHz; SOT89; @(1.8 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=31.0 dBm, G-1dB=16.0 dB, IP3=42.0 dBm, Nf=0.7 dB; Idss=375..600 mA; PAE= LP1500SOT89.pdf..
Код товару: 3936
5 213.50 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-16GHz; P100; @(15.0 GHz, 8V, 50%Idss): P-1dB=33.0 dBm, G-1dB=8.0 dB, IP3=44.0 dBm, Nf=2,5 dB; Idss=800..1100 mA; PAE=45% LP3000P100.pdf..
Код товару: 3937
888.30 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-16GHz; SOT89; @(1.8 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=29.0 dBm, G-1dB=15.0 dB, IP3=46.0 dBm, Nf=1.3 dB; Idss=800..1100 mA; PAE= LP3000SOT89.pdf..
Код товару: 3833
556.60 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-16GHz; P70; @(15.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=23.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=35.0 dBm, Nf=1.5 dB; Idss=80..95 mA; PAE=50% LP6836P70-1.pdf..
Код товару: 3866
475.20 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-16GHz; P70; @(15.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=23.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=35.0 dBm, Nf=1.5 dB; Idss=96..105 mA; PAE=50% LP6836P70-1.pdf..
Код товару: 3809
562.90 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-16GHz; P70; @(15.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=23.0 dBm, G-1dB=12.0 dB, IP3=35.0 dBm, Nf=1.5 dB; Idss=106..125 mA; PAE=50% LP6836P70-1.pdf..
Код товару: 3921
2 546.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-16GHz; P100; @(12.0 GHz, 8V, 50%Idss): P-1dB=27.5 dBm, G-1dB=10.5 dB, IP3=41.0 dBm, Nf=2.5 dB; Idss=180..265 mA; PAE=60%..
Код товару: 5289
578.60 грн.
Транз. Пол. НВЧ PHEMT; DC-20GHz; P70; @(18.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=20 dBm, G-1dB=9,5 dB, P3=34 dBm, Nfmin=0,8 dB; Idss=40..85 mA; PAE=50% LPD200P70.pdf..
Код товару: 11458
429.30 грн.
ИМС НВЧ P76 1,5-8 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier G=23 dB, P1dB=6,3 dB, Nf=2,0 dB @ 4GHz MGA-86576-STRG.pdf..
Код товару: 8511
0.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ Потужні GaAs FET P1db=24,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF-2407A.pdf..
Код товару: 8063
2 904.30 грн.
Транз. Пол. НВЧ Power GaAs FET P1db=27,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF2415A.pdf..
Код товару: 15616
180.00 грн.
Транзистор MGF0911A GF-21 MGF0911A.pdf..
Код товару: 11683
0.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ Power GaAs FET P1db=27,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF2415A.pdf..
Код товару: 17982
22 500.00 грн.
Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs FET P1db=30,5dBm (typ.), Glp=6,5 dB @ 14,5 GHz MGF2430A-11.pdf..
Код товару: 9555
186.30 грн.
Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD16 Nf=0.5 dB@12GHz MGF4919G.pdf..
Код товару: 25223
0.00 грн.
Транзистор SOT-89 InGaP HBT GPA 0--6000 MHz, P1dB: 20.5 dBm @ 900 MHz MMG3H21NT1.pdf..
Код товару: 29017
0.00 грн.
RF Power LDMOS Transistor, 1030–1090 MHz, 1300 W PEAK, 50 V MMRF1317HR5.pdf..
Код товару: 11103
0.00 грн.
RF Power Field-Effect Transistors MRF175GV.pdf..
